采用脉冲激光沉积(PLD)的方法在玻璃衬底上制备了二氧化钛薄膜，研究了基片温度和氧压对薄膜表面形貌、晶体结构和光学性能的影响。结果表明：当基片温度低于300 ℃或高于400 ℃时，二氧化钛薄膜的折射率都随着基片温度的升高而增大；基片温度处于300 ℃~400 ℃之间时，折射率随着基片温度的升高而降低；基片温度为300 ℃时，折射率最大。薄膜的折射率随着氧压的增大而减小。X射线衍射仪(XRD)显示薄膜在基片温度低于300 ℃时为非晶态结构，在300 ℃时出现了锐钛矿结构,当基片温度升高到500 ℃时，薄膜仍为锐钛矿结构；300 ℃时，薄膜的A(101)衍射峰最强，结晶度最好。通过原子力显微镜(AFM)图分析得出：低于300 ℃时，随着基片温度的升高，二氧化钛薄膜的晶粒尺寸增大，聚集密度增大；高于300 ℃时，晶粒的平均尺寸大小几乎不变，300 ℃时，晶粒排列最均匀有序。根据薄膜的透射谱计算了薄膜的光学带隙，可知随着基片温度的升高，二氧化钛薄膜的带隙变窄；随着氧压的增大，带隙变宽。

对射频反应性溅射Cd-In合金靶制备的透明导电CdIn2O4薄膜,研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱,光学常数和载流子浓度的影响.结果表明:提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度,退火增加了薄膜的载流子浓度.随着基片温度提高,薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移,而退火使其出现红移.基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的.在制备CdIn2O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中,这一现象对于实时监控具有极为重要的意义.