1 青海民族大学化学化工学院,西宁 810007
2 青海民族大学能源与动力工程系,西宁 810007
3 西安交通大学能源与动力工程学院,西安 710049
用动力学蒙特卡罗方法研究了3C-SiC(111)邻晶面的外延生长机制。生长温度、沉积速率和平台宽度对邻晶面外延生长模式有着重要的影响。模拟结果显示：在温度较低的情况下，晶体表面离散的分布着数量众多的晶核，其生长模式为二维岛核生长模式。当生长温度升高时，岛核主要分布于台阶边缘，晶体生长方式则转变为台阶推进与岛核成长共生的生长模式。其次，在沉积速率较低时，晶体主要生长方式为台阶推进模式，随着沉积速率增加, 晶体生长模式则转变为二维岛核生长模式。最后，岛核密度随平台宽度的增加而增加，在较低温度下，平台宽度对岛核密度的影响更加明显。
碳化硅 动力学蒙特卡罗法 外延生长 晶体生长 岛核密度 silicon carbide Kinetic Monte Carlo model epitaxial growth crystal growth island density
