西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安 710024
多路并联二极管结构是实验室获取低能量、大面积、高剂量率X射线的有效途径之一。本文采用点源数值积分的方法开展了单环和五环并联结构二极管的辐射场剂量均匀性研究。结果表明：距离圆环很近的平面上，辐射场主要集中于圆环在该平面的投影位置，随着距离的增大，辐射逐渐向其他区域分散；对于单环结构二极管，当距离z<15 cm时，随着距离的增大，剂量均匀性>80%的面积先增大后减小，而计算区域内的总剂量逐渐减小；综合考虑剂量均匀性和总剂量，单环结构二极管辐射场最佳实验区域为z=7~9 cm；圆环内径减小只会增强环中心投影点附近的剂量，而平面上剂量均匀性会变差，当圆环外径为10 cm时，最佳内径为8~9.5cm；相比单环，五环并联结构二极管能够大幅增强辐射剂量，明显改善辐射场剂量均匀性和显著增大有效实验区域，z为11~17 cm范围内，五环结构二极管剂量均匀性没有出现大的波动。
X射线 并联二极管 辐射场 均匀性 X-ray Parallel diode Radiation field Uniformity 辐射研究与辐射工艺学报
2023, 41(5): 050703
1 Engineering College, Zhejiang Normal University, Jinhua 32000, China
2 State Key Laboratory of Millimeter Waves, Southeast University, Nanjing 11189, China
3 IHP, Microelectronics, Frankfurt Oder, 1526, Germany
4 Heinz Nixdorf Institute , Paderborn University, 33102, Germany
介绍了一种应用于气体频谱分析传感器的低功耗245 GHz次谐波接收机，该接收机具有低功耗、高线性度和高集成度的特点.该接收机由四级共基极低噪声放大器、二次次谐波无源反接并联二极管对（APDP）混频器、120 GHz推推型压控振荡器-分频器链路、120 GHz功率放大器和中频放大器构成，采用了特征频率为300 GHz、最大振荡频率为500 GHz的锗硅BiCMOS工艺实现.该接收机芯片实现了10.6 dB的转换增益和13 GHz的带宽，噪声系数为20 dB, 输入1dB压缩点仿真结果为-9 dBm，接收机如果不包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为99.6 mW，接收机包括120 GHz压控振荡器-功率放大器链路功耗为312 mW.
次谐波接收机 锗硅BiCMOS工艺 低功耗 共基极低噪声放大器 二次次谐波无源反接并联二极管对混频器 中频放大器 245 GHz 245 GHz subharmonic receiver SiGe BiCMOS technology low power common base LNA 2nd passive APDP SHM intermediate frequency (IF) amplifier
西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
利用二极管的电压电流波形计算了电子束参数，建立了串级二极管和四路并联二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型，给出了两种情况下轫致辐射X射线场参数。结果表明：阳极靶厚度增加时，轫致辐射X射线平均能量增大，而能量转换效率先增大，后减小；距离串级二极管和四路并联二极管阳极靶5 cm位置处，X射线注量分别为76.50，3.74 mJ/cm2；光子平均能量分别为81.13，60.77 keV；半径为12 cm的圆面上，串级二极管X射线剂量呈马鞍形分布，均匀性为1.70∶1；边长为52 cm的正方形平面上，四路并联二极管X射线剂量均匀性小于6.30∶1；电子束轫致辐射转换效率分别为0.29％，0.32％。
串级二极管 并联二极管 X射线源 蒙特卡罗方法 series diode parallel diode X-ray source Monte Carlo method 强激光与粒子束
2014, 26(3): 035005
1 中国气象局 国家卫星气象中心, 北京 100081
2 北京理工大学 信息与电子学院, 北京 100081
介绍了一种基于石英基片的2mm波段二次谐波混频器.阐述了谐波混频器的基本原理, 建立了混频二极管对结构的高频模型, 并用全波分析软件对整个电路进行了仿真优化.实测得到射频信号在116～120GHz范围内, 当本振频率为59GHz、功率为7～14dBm时, 最低变频损耗为17dB, 最高变频损耗为20dB.混频器的P1dB为1dBm, 各端口隔离度均优于20dB.研制的集成2mm波段二次谐波混频器实测结果与设计结果吻合较好.
毫米波 谐波混频器 反向并联二极管对 TRL方法 millimeter wave sub-harmonic mixer anti-pair diode TRL method
介绍了一种全集成微带四次谐波混频器,该混频器采用了一种新型电磁带隙结构,可获得很低的变频损耗指标.阐述了一般的谐波混频理论,并用谐波平衡软件对整个电路进行优化仿真.实测得到射频在34～36GHz的频带内,固定中频为100MHz,该混频器最小变频损耗7.67dB,最大变频损耗＜10dB.
谐波混频 电磁带隙结构 反向并联二极管对
