在用步进扫描傅里叶变换红外(Fourier Transform Infrared, FTIR)调制光致发光(Photoluminescence, PL)光谱仪进行测试时, 基于FTIR的优势, 并结合PL无损、灵敏度高、简单的优点, 通过减弱背景干扰来提高信号强度。研究了背景噪声、杂质能级和温度对InAs/GaSb应变超晶格材料的发射峰强度及位置的影响, 并通过改变测试参数, 总结出了针对不同材料的测试方法。这项研究结果对InAs/GaSb应变超晶格材料的外延生长及后续加工具有参考价值。
InAs/GaSb应变超晶格材料 光致发光光谱 截止波长 分子束外延 InAs/GaSb superlattice photoluminescence spectrum cut-off wavelength molecular beam epitaxy
1 广东技术师范学院 自动化学院, 广州 510000
2 重庆交通大学 理学院, 重庆 400074
利用Fourier展开, 将应变超晶格中的粒子运动问题转化为多频激励的摆方程问题。用Melnikov方法和Lyapunov方法讨论了系统的稳定性, 并对双频激励和单频激励进行了具体分析。结果表明, 多频激励系统可通过奇阶次谐分叉进入混沌; 当阻尼系数比较大或激励强度比较弱时系统是稳定的。
应变超晶格 多频激励 Melnikov方法 Lyapunov指数 稳定性 strained superlattice multifrequency excitation Melnikov method Lyapunov exponent stability
东莞理工大学 电子工程学院, 广东 东莞 523808
从势和场的观点出发讨论了带电粒子在应变超晶格中的运动行为.在经典力学框架内和偶极近似下,引入正弦平方势,把粒子运动方程化为具有阻尼项和混合激励项的广义摆方程.利用Melnikov方法讨论了系统的临界性质与混沌行为.结果表明,系统的混沌行为与它的参数有关,适当调节参数,就可以原则上保证系统的稳定性.
应变超晶格 沟道效应 混合激励 混沌 strained superlattice channeling effects mixed excitation chaos
1 广东工业大学 物理与光电工程学院,广州 510006
2 浙江工业大学 信息工程学院,杭州 310014
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。12 μm InP(004)面X射线衍射(XRD) ω-2θ和ω扫描半高全宽(FWHM)分别为373 arcsec和455 arcsec,在外延层中插入10周期Ga01In09P／InP应变超晶格后,其半高全宽分别下降为338 arcsec和391 arcsec。透射电子显微镜(TEM)测试显示,应变超晶格有效地抑制了失配位错穿进外延层,表明晶体质量得到了较大提高。
异质外延 低温缓冲层 应变超晶格 金属有机物气相外延 heteroepitaxy low temperature buffer layer strained layer superlattice MOCVD
对GexSi1-x/Si应变超晶格雪崩光电探测器进行了分析与优化设计。优化结构为：i-Si雪崩区厚是1.8～2 μm;p-Si区的掺杂浓度是10 18 cm-3,厚为17 nm;超晶格总厚为340 nm。它可探测1.3～1.6 μm的红外光。
应变超晶格 雪崩光电探测器
