采用氢(H)扩散掺杂源漏的方法对自对准顶栅a-IGZO TFT的制备工艺进行了研究。氢的扩散掺杂通过PECVD生长SiNx钝化层而实现。实验结果显示, 在栅电极图形化后, 是否继续进行栅介质刻蚀对器件性能有较大影响。对刻蚀了SiO2栅介质层的器件, 发现其泄漏电流较大, 这可能是由于有源层侧壁的刻蚀残留物导致的; 短沟道器件阈值电压偏负且在经过退火后迁移率减小, 则是由于严重的H横向扩散导致的。对未刻蚀SiO2栅介质层的器件, 发现其阈值电压相对偏正, 应该是因为SiO2栅介质对H的掺杂有一定的阻挡作用, 导致H的横向扩散得到了抑制; 器件在经过退火后迁移率上升, 开态电流增大, 应该是因为未刻蚀栅介质中的H热扩散到下方的源漏区域, 降低了源漏电阻。