1 北京大学 微电子学研究院, 北京 100871
2 北京大学 深圳研究生院, 广东 深圳 518055
在低温下制备了三氧化二铝/二氧化硅双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管。原子力显微镜图显示双层栅介质薄膜具有良好的均一性。经过200 ℃真空退火处理, 双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管表现出良好的转移特性和输出特性, 器件的亚阈值摆幅SS为177 mV/dec, 电流开关比为1.9×108。低温下制备的双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管有希望应用于柔性电子。
三氧化二铝 二氧化硅 铟镓锌氧 双层栅介质 薄膜晶体管 低温 Al2O3 SiO2 IGZO double-layer dielectric TFT low temperature
Author Affiliations
Abstract
1 School of Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen 518055, China
2 State Key Laboratory of Precision Measurement Technology and Instruments, Department of Precision Instruments, Tsinghua University, Beijing 100084, China
In this review, the principle and the optical methods for light-field display are introduced. The light-field display is divided into three categories, including the layer-based method, projector-based method, and integral imaging method. The principle, characteristic, history, and advanced research results of each method are also reviewed. The advantages of light-field display are discussed by comparing it with other display technologies including binocular stereoscopic display, volumetric three-dimensional display, and holographic display.
100.6890 Three-dimensional image processing 120.2040 Displays Chinese Optics Letters
2019, 17(11): 111001
北京大学 薄膜晶体管与先进显示重点实验室, 广东 深圳 518055
采用氢(H)扩散掺杂源漏的方法对自对准顶栅a-IGZO TFT的制备工艺进行了研究。氢的扩散掺杂通过PECVD生长SiNx钝化层而实现。实验结果显示, 在栅电极图形化后, 是否继续进行栅介质刻蚀对器件性能有较大影响。对刻蚀了SiO2栅介质层的器件, 发现其泄漏电流较大, 这可能是由于有源层侧壁的刻蚀残留物导致的; 短沟道器件阈值电压偏负且在经过退火后迁移率减小, 则是由于严重的H横向扩散导致的。对未刻蚀SiO2栅介质层的器件, 发现其阈值电压相对偏正, 应该是因为SiO2栅介质对H的掺杂有一定的阻挡作用, 导致H的横向扩散得到了抑制; 器件在经过退火后迁移率上升, 开态电流增大, 应该是因为未刻蚀栅介质中的H热扩散到下方的源漏区域, 降低了源漏电阻。
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管 自对准顶栅 栅介质刻蚀 氢掺杂 a-IGZO TFTs self-aligned top gate gate dielectric etching H-doped
北京大学 信息工程学院, 广东 深圳 518055
研究了氧化铟镁(MgInO)薄膜晶体管在不同波长下的光响应。实验表明, 入射光波长减小, 光电流将增加。和积累区相比, 耗尽区具有更高的信噪比, 更适合于紫外探测。器件在短波时具有较大的响应度(>1 A/W), 截止波长在360 nm左右。同时研究了源漏电压和沟道长度对光电流的影响。光电流与源漏电压之间具有良好的线性关系; 沟长变短, 渡越时间减小, 可获得更高的光电增益。
薄膜晶体管 金属氧化物 紫外探测 氧化铟镁 光电特性 thin film transistors (TFTs) metal oxide ultra violet detection MgInO photo-electrical properties
1 北京大学 微电子学研究院, 北京 100871
2 北京大学 深圳研究生院, 广东 深圳 518055
本文研究并制备了钆铝锌氧薄膜和以钆铝锌氧为有源层的薄膜晶体管。钆铝锌氧薄膜材料的光致发光光谱和透过率说明钆铝锌氧薄膜在透明显示方向的应用潜力。透射电子显微镜揭示了钆铝锌氧薄膜的非晶态微观结构。钆铝锌氧薄膜晶体管显示了良好的转移特性和输出特性。器件开关比大于105、饱和迁移率约为10 cm2·V-1·s-1。实验结果表明, 钆铝锌氧薄膜可用作氧化物薄膜晶体管的有源层材料; 钆铝锌氧薄膜晶体管可作为像素电路的驱动器件。
钆铝锌氧 薄膜晶体管 有源层 GdAZO TFT active layer
研究了在TFT制备过程中, 直流溅射和交流溅射生长铟镓锌氧薄膜对器件的转移特性和栅偏压应力特性的影响。交流溅射生长的IGZO制备的器件具有较低的阈值电压和较好的亚阈特性, 分别为0.937 V和0.34 V/dec; 而直流溅射得到的阈值电压和亚阈值摆幅则分别是: 1.78 V和0.50 V/dec。对于稳定性, 在30 V的栅极应力下, 直流溅射得到的器件的阈值电压漂移则相对小一些。本文通过分析直流和交流溅射的过程中薄膜的沉积情况, 阐述了上述现象产生的原因。
铟镓锌氧薄膜晶体管 直流溅射 交流溅射 应力特性 IGZO TFT RF sputtering DC sputtering stability
