电子科技大学 光电信息学院 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
室温下, 采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜。研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热敏电学性能的影响。X射线衍射测试结果表明在室温及不同占空比下生长的氧化钒薄膜均为非晶结构; 原子力显微镜表面形貌测试表明降低占空比可以得到更加光滑的薄膜表面; X射线光电子能谱测试表明降低占空比能够在反应溅射气氛不变的情况下促进钒的氧化; 对薄膜的热敏电学特性测试发现, 在293~368K, 小极化子跳跃是脉冲反应磁控溅射氧化钒薄膜中主要的导电机制。
氧化钒 脉冲直流溅射 占空比 电学性质 VOx pulsed DC sputtering duty cycle electrical properties
研究了在TFT制备过程中, 直流溅射和交流溅射生长铟镓锌氧薄膜对器件的转移特性和栅偏压应力特性的影响。交流溅射生长的IGZO制备的器件具有较低的阈值电压和较好的亚阈特性, 分别为0.937 V和0.34 V/dec; 而直流溅射得到的阈值电压和亚阈值摆幅则分别是: 1.78 V和0.50 V/dec。对于稳定性, 在30 V的栅极应力下, 直流溅射得到的器件的阈值电压漂移则相对小一些。本文通过分析直流和交流溅射的过程中薄膜的沉积情况, 阐述了上述现象产生的原因。
铟镓锌氧薄膜晶体管 直流溅射 交流溅射 应力特性 IGZO TFT RF sputtering DC sputtering stability
四川大学 材料科学与工程学院, 成都 610064
采用直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜, 研究了沉积过程中变换氧分压对薄膜光电性能的影响。采用XRD、紫外可见光分光光度计及AFM等方法对薄膜的结构和光电性质进行了表征。结果表明, ZnO薄膜在可见光范围内的透过率可达88%, 并且随着氧分压的增大, 薄膜的透过率也增大; 制备出的ZnO薄膜表面粗糙度为0.41nm。在glass/ITO/ CdS/CdTe结构的太阳电池中, 将本征ZnO薄膜作为高阻层加入到ITO与CdS之间, 电池的开路电压和填充因子有明显的提高, 加入高阻层之后, 电池的转换效率最高可达13.6%。
ZnO薄膜 太阳电池 直流溅射 ZnO thin films solar cells DC magnetron sputtering CdTe CdTe
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海200083
2 上海太阳能电池研究与发展中心，上海201201
CuIn1-x GaxSe2 (CIGS)为直接带隙半导体，其带隙宽度随In/Ga比而变化，且对可见光具有很高的吸收系数，是最有希望用于制作新一代高效、低成本薄膜太阳能电池的材料.采用直流溅射和后硒化工艺制备了系列CIGS薄膜，研究了溅射功率和衬底对CIGS薄膜的微结构和光学性质的影响.发现钼玻璃上溅射功率为50W，在550℃硒化40min的条件下获得的CIGS薄膜具有单一的黄铜矿结构、均匀致密的表面形貌和柱状晶粒.所制备的薄膜的禁带宽度位于1.21~1.24 eV的范围.
薄膜电池 CuIn1-x GaxSe2薄膜 直流溅射 硒化 thin film solar cell CuIn1-xGaxSe2 thin film DC sputtering selenizing
中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029
设计了一套适用于加速器细长管道真空室的低温溅射镀TiN薄膜装置.利用该装置,对86 mm×2 000 mm的不锈钢管道真空室进行溅射镀TiN膜实验,并对镀膜实验结果进行分析,得到了适用于加速器管道真空室内壁溅射镀TiN膜的表面处理参数.样品测试结果表明:在压强为80～90 Pa、基体温度为160～180 ℃的镀膜参数下,不锈钢管道内壁获得的TiN薄膜最佳,薄膜沉积速率为0.145 nm/s.镀膜后真空室的二次电子产额明显降低.
低温直流溅射 TiN膜 不锈钢真空室 二次电子产额 加速器
