作者单位
摘要
华南师范大学 光电子材料与技术研究所,广州 510631
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了LED散热和载流子屏蔽效应对溢出电流的影响,并为减小溢出电流提供了思路.
多量子阱 溢出电流 极化效应 MQW Overflow current Polarization 
光子学报
2009, 38(6): 1340

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