华南师范大学 光电子材料与技术研究所,广州 510631
通过分析影响电子溢出的因素，建立多量子阱的物理模型，得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响，认为极化效应使能带弯曲，电子溢出量子阱，溢出电流大幅度增加.考虑了LED散热和载流子屏蔽效应对溢出电流的影响，并为减小溢出电流提供了思路.
多量子阱 溢出电流 极化效应 MQW Overflow current Polarization
华南师范大学光电子材料与技术研究所，广东 广州 510631
在LED电极欧姆接触中，载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制。通过载流子在金属半导体界面传输机制的模拟，讨论了界面介质层及其势垒对器件串联电阻和漏电流的影响，发现介质层电阻比LED的串联电阻小得多，可以忽略不计；但是随着器件的老化，介质层及其所含的缺陷会产生相当大的漏电流，使器件的可靠性和稳定性下降，也为LED的失效机理提供了理论依据。
光电子学 发光二极管 介质层 欧姆接触 漏电流 optoelectronics light emitting diodes interfacial layer Ohmic contacts leakage current
