设计了一种高亮度455 nm蓝激光激发YAG∶ Ce3+荧光轮光源,并对其输出特性进行了实验研究。实验证明, 该光源在164.52 W、 455 nm蓝光半导体激光激发下,输出光谱中心波长572 nm,色坐标x=0.448 9, y=0.536 9,最大输出功率49.1 W,亮度22 320.07 lm,最大光效率为454.58 lm/W。实验中还发现光源具有热饱和现象,当激发光强度增加到一定值后其输出功率不升反而下降。研究结果可为设计和研究YAG∶Ce3+荧光粉光源提供参考。

设计并制备了一款短波长红光640 nm的大功率半导体激光器。利用金属有机化学气相沉积技术生长了AlGaInP材料的激光器外延层，其中，限制层使用低折射率的AlInP材料，有源区使用张应变的GaInP/AlGaInP量子阱。外延层有源区的光致发光谱出现两个分裂的发光峰，位于627 nm及616 nm处，分别对应于电子到轻空穴及重空穴的跃迁。对芯片窗口区域进行选择性Zn扩散，量子阱原子发生混杂，波长蓝移了43 nm。不带非吸收窗口的器件在1.9 A发生腔面灾变性光学损伤（COD），功率为1.4 W。而带窗口结构的器件没有产生COD，功率输出受限于热饱和，最大功率为2.3 W。室温连续电流测试，1 A下波长为639 nm，1.5 A下波长为640 nm。器件水平发散角为6°，垂直发散角为41°。