作者单位
摘要
1 南华大学 核科学技术学院衡阳 421001
2 南华大学 核燃料循环技术与装备湖南省协同创新中心衡阳 421001
3 南华大学 资源环境与安全工程学院衡阳 421001
4 南华大学 计算机/软件学院衡阳 421001
反应堆在各种工况下堆芯瞬态热工水力参数预测的准确性,直接影响到反应堆的安全性。质量流量和温度作为堆芯热工水力的重要参数,二者常被建模为时间序列预测问题。研究旨在解决瞬时条件下堆芯热工水力参数连续预测的精度问题,检验基于注意力机制的门控循环单元在核心参数预测中的可行性。本文采用1/2中国实验快堆(China Experimental Fast Reactor,CEFR)为研究对象,使用快堆子通道程序SUBCHANFLOW生成瞬态堆芯热工水力参数的时间序列,采用基于软注意力的门控循环单元(Gated Recurrent Unit,GRU)模型预测堆芯的质量流量和温度时间序列。结果表明:相较于自适应径向基(Radial Basis Function,RBF)神经网络,本文使用的软注意力的GRU网络模型预测结果更好,温度在步长为3的情况下平均相对误差不超过0.5%,在15 s内预测效果较好;质量流量在步长为10的情况下平均相对误差不超过5%,且在后续12 s内预测效果较好。本文构建的模型不仅在连续预测过程中表现出更高的预测精度,且能捕捉到动态时间序列中的趋势特点,这对维护反应堆安全,有效防止核电厂事故有极大的用处。基于软注意力的GRU模型能在瞬态反应堆工况下提供一段时间的连续预测,在工程应用中和提高反应堆安全性上具有一定的参考价值。
门控循环单元 软注意力 快堆 瞬态热工水力 参数预测 Gated recurrent unit Soft attention Fast reactor Transient thermal hydraulics Parameter prediction method 
核技术
2024, 47(1): 010603
作者单位
摘要
中国计量大学 计量测试工程学院,杭州 310018
针对单波长Mirau干涉显微镜存在测量范围小和2π模糊等问题,提出了多波长Mirau偏振干涉显微镜,以实现微观轮廓的大动态范围测量的和表面粗糙度等显微结构的瞬态检测。系统利用R、G、B三个单色LED光源实现多波长干涉;利用彩色偏振相机获取瞬态相移干涉条纹图,降低实时瞬态检测中复杂的环境扰动影响;利用线栅偏振片调节条纹对比度,满足不同被测对象的反射率检测要求。为验证系统方案的可行性,经过系统误差补偿校准后测量标称值为1.993 9 μm的标准微米台阶,结果与标称值的偏差约为5.4 nm。利用该方法与Wyko干涉仪对金刚石车削凸面反射镜表面微观轮廓和表面粗糙度进行测量,表面粗糙度测量结果均方根值偏差为3.7 nm,验证了该系统可实现高精度的大动态范围测量。
多波长干涉 瞬态检测 偏振成像 Mirau干涉显微镜 误差校正 Multi-wavelengths interferometry Transient measurement Polarization imaging Mirau interference microscope Error calibration 
光子学报
2024, 53(1): 0111001
作者单位
摘要
1 国网宁夏电力有限公司设备管理部,宁夏银川 750011
2 国网宁夏电力有限公司超高压公司灵州换流站,宁夏银川 750011
为了解决特高压直流换流站二次设备空间瞬态磁场受到无线电干扰后强度不明确的问题,提出了特高压直流换流站二次设备空间瞬态磁场监测技术研究。基于换流站二次设备空间瞬态磁场数据采集程序,根据电磁辐射示意图,计算换流站二次设备空间的电场强度和电磁辐射强度;将开关电弧简化成直导线,计算二次设备空间瞬态磁场强度,结合换流站二次设备空间瞬态磁场监测算法,实现了换流站二次设备空间瞬态磁场监测。测试结果表明,提出的方法可以有效监测二次设备空间瞬态磁场强度,监测瞬态磁场的无线电受干扰水平在 10~25dB·μV/m之间,满足标准干扰水平的要求。
直流换流站 瞬态磁场 二次设备空间 监测技术 电磁辐射 磁场计算 DC converter station transient magnetic field secondary equipment space monitoring technology electromagnetic radiation magnetic field calculation 
光学与光电技术
2023, 21(4): 41
作者单位
摘要
大连理工大学 微电子学院, 辽宁 大连 116000
设计了一种基于摆率增强的快速瞬态响应无片外电容LDO电路。其中, 误差放大器采用电流镜跨导结构, 降低了频率补偿的难度系数; 设计了一种可以为功率管栅极提供额外充放电电流的瞬态提升电路(TEC), 能快速响应负载的变化, 增大摆率, 有效提升了负载瞬态响应。仿真结果表明, 电路仅使用简单的密勒密勒补偿, 即可实现相位裕度在全负载范围内大于60°; 在0.5 μs的时间内, 负载在100 μA和100 mA之间发生跳变, 电路的下冲电压和过冲电压分别是69 mV和64 mV, 稳定时间分别是0.89 μs和0.86 μs。相较无TEC, 本文电路的下冲/过冲电压分别衰减73%和78%, 负载瞬态响应显著提升。
无片外电容 摆率增强 瞬态提升 快速瞬态响应 capacitor-Less LDO LDO slew rate enhanced transient enhanced fast transient response 
微电子学
2023, 53(5): 884
作者单位
摘要
1 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
2 北京智慧能源研究院 先进输电技术国家重点实验室, 北京 102209
提出了一种具有较高增益和稳定性的片上低压差线性稳压器(LDO), 可为高速变化的逻辑和驱动电路提供快速响应的电压。该两级级联输出的LDO基于0.18 μm BCD工艺设计, 工作在9.5~15.5 V宽电源电压范围内, 并且具有较好的相位裕度、较高的响应速度以及较好的线性调整率, 能够满足芯片内部多个电源轨的供电需求。采用Cadence仿真并进行了流片试制, 仿真和测试结果表明, 该LDO主环路在全负载范围内具有较好的相位裕度, 输出电压纹波较小。在输入电压为9.5~15.5 V时, 两级LDO的输出电压分别稳定在4.53 V和1.80 V, 具有较好的线性调整率。LDO用于GaN驱动芯片时, 能稳定地为逻辑和驱动等模块提供电源电压。
频率补偿 瞬态响应 LDO LDO frequency compensation transient response 
微电子学
2023, 53(5): 877
梁涛 1,2肖添 1,2刘勇 1,2裴颍 1,2[ ... ]冉卫 2
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060
2 重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 400000
瞬态电压抑制器(TVS)是一种二极管形式的接口保护器件, 其中低压TVS通常由低阻外延层和其表面的高浓度掺杂区构成。在芯片制造工艺过程中, 圆片的表面掺杂浓度对器件特性有很大的影响, 非正常的杂质扩散变化极易导致器件参数异常。文章就某低压TVS制造过程中出现的参数异常进行了排查, 确认异常原因为表面掺杂浓度过高, 并就表面掺杂浓度与器件参数的变化趋势进行了分析, 并通过实验得到验证。
瞬态电压抑制器 表面浓度 掺杂 TVS surface concentration doping 
微电子学
2023, 53(3): 512
作者单位
摘要
1 北京工业大学 微电子学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
2 同源微半导体技术有限公司, 北京 100094
提出了一种无片外电容、快速瞬态响应、宽输入电压范围的低压差线性稳压器(LDO)。该电路基于翻转电压跟随器(FVF)结构, 不需额外增加辅助电路, 仅使用两个电容作为检测模块, 以动态调整瞬态响应, 能够弥补传统LDO集成度低、面积大、功耗高、瞬态响应差的不足。电路基于TSMC 180 nm CMOS工艺。仿真结果表明, 该LDO的压差为200 mV, 静态电流为36 μA, 输入电压范围为2~4 V, 低频时PSRR为-59 dB。在30 pF负载电容、0~10 mA负载电流、150 ns阶跃时间条件下, 产生的上冲电压为50 mV, 下冲电压为66 mV, 瞬态电压恢复时间为300 ns。
电源管理 低压差线性稳压器 无片外电容 快速瞬态响应 power management LDO capacitor-less fast transient response 
微电子学
2023, 53(4): 636
作者单位
摘要
1 合肥工业大学 微电子学院, 合肥 230009
2 昆山睿翔讯通通信技术有限公司, 江苏 昆山 215300
提出了一种稳定性高、瞬态特性良好、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。采用推挽式微分器检测负载瞬态变化引起的输出电压变化, 加大对功率管栅极寄生电容的充放电电流, 增强系统的瞬态响应能力; 在误差放大器后接入缓冲级, 将功率管栅极极点推向高频, 并采用密勒电容进行频率补偿, 使系统在全负载范围内稳定。基于TSMC 65 nm CMOS工艺进行流片, 核心电路面积为0035 mm2。测试结果表明, 最低供电电压为11 V时, 压降仅为100 mV, 负载电流1 μs内在1 mA和150 mA之间跳变时, LDO的最大输出过冲电压与下冲电压分别为200 mV和180 mV。
低压差线性稳压器 无片外电容 频率补偿 瞬态增强 low dropout regulator (LDO) capacitor-less frequency compensation transient enhancement 
微电子学
2023, 53(4): 608
作者单位
摘要
1 1.武汉理工大学 材料科学与工程学院, 武汉 430070
2 2.武汉理工大学 硅酸盐建筑材料国家重点实验室, 武汉 430070
近年来, 全无机铯铅卤化钙钛矿CsPbX3(X=Cl, Br, I)纳米晶(NCs)材料因具有长载流子寿命、强光吸收、低成本制造和带隙可调性等独特的性能已成为研究的热点, 但专注于CsPbBr3纳米晶瞬态光电导的相关研究却很少。本工作通过配体辅助再沉淀法制备了CsPbBr3纳米晶体, 并改进了光电导薄膜样品的制样方法和真空瞬态光电导测试装置, 研究了不同温度和不同激发功率对CsPbBr3纳米晶瞬态光电导的影响。不同温度的瞬态光电导实验结果表明, 在133~273 K温度范围内, 光生电流衰减速率随着温度增加而逐渐减小, 而在273~373 K温度范围内, 光生电流衰减速率随着温度升高而逐渐增大。不同激发功率的瞬态光电导实验表明, 激发功率从200 mW逐渐增大到1000 mW时, 光生电流衰减速率增大。本工作的研究方法为研究光激发光生载流子的动力学相关行为提供了一个的新思路。
卤化铅钙钛矿 CsPbBr3纳米晶 光生电流 瞬态光电导 载流子弛豫 lead halide perovskite CsPbBr3 nanocrystals photo-generated current transient photoconductivity carrier relaxation 
无机材料学报
2023, 38(8): 893
作者单位
摘要
1 吉林大学 物理学院,吉林 长春 130012
2 南阳师范学院 物理与电子工程学院,河南省MXene材料微结构国际联合实验室,河南 南阳 473061
氧化锌(ZnO)作为一种优异的电子传输材料,广泛应用于高性能量子点电致发光器件(QLED)中。然而,由于ZnO层较高的电荷传输速率,导致器件中过多的电子注入,使得器件内部的载流子不平衡,降低了器件的效率。此外,ZnO的易潮解性质使得其与电极之间的接触容易受到外界环境(水分和氧气)影响,从而影响器件的存储稳定性,这在倒置结构的QLED中尤为明显。为解决上述问题,我们利用MoO3/ZnO作为电荷产生层(CGL)来制备倒置结构的QLED。这一结构改善了器件的载流子不平衡问题,使得器件的最大电流效率从12.8 cd/A提升到了15.7 cd/A。此外,CGL无需有电极注入电荷,而是通过电场的作用产生电荷,注入到发光层中,这降低了电极界面对器件性能的影响,从而大大提高了器件的稳定性。
电荷产生层 电荷储存 过冲 瞬态电致发光 charge-generation layer charge storage overshoot transient electroluminescence 
发光学报
2023, 44(11): 1885

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