作为神经形态计算系统的基本组成单元, 人工突触器件在高性能并行计算、人工智能和自适应学习方面具有巨大的应用潜力。其中, 电解质栅突触晶体管(Electrolyte-gated synaptic transistors, EGSTs)以其沟道电导的可控性成为下一代神经形态器件被广泛研究的对象, 并用来模拟神经突触功能。EGSTs因双电层的快速自放电效应, 导致其存在长程塑性持续时间较短和沟道电导不易调控等问题。本研究采用水诱导的In2O3薄膜作为沟道材料, 以壳聚糖作为栅电解质材料, 制备了基于In2O3的EGSTs, 并对器件沟道层进行了氧等离子体处理。研究发现, 利用氧等离子体中的活性氧自由基在沟道层表面产生陷阱态, 使更多氢离子在电解质/沟道界面处被俘获, 器件性能表现为回滞窗口增大, 对EGSTs器件的长程塑性实现调控。基于双电层的静电耦合效应和电化学掺杂效应, 本研究利用EGSTs器件模拟了神经突触的兴奋性突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、短程塑性(STP)和长程塑性(LTP)等突触行为。同时, 基于该器件的EGSTs增强/抑制特性, 采用三层人工神经网络进行手写数字识别, 经过仿真训练后, 发现该器件可训练出较高的识别率(94.7%)。这些研究结果揭示: 表面等离子体处理是影响器件性能的一项关键技术, 并证明了该技术对调节EGSTs神经形态器件的突触功能具有较大的应用潜力。
电解质栅突触晶体管 突触塑性 等离子体处理 模式识别 electrolyte-gated synaptic transistor synaptic plasticity plasma treatment pattern recognition
1 长春理工大学光电工程学院, 吉林 长春 130022
2 光驰科技(上海)有限公司,上海 200444
高分子材料以其优异的性能,近年来得到了广泛的应用。以一种新型高分子材料环烯烃共聚物为基底,设计并研制了400~700 nm波段的减反射膜。根据薄膜热应力理论分析了材料特性,选择ZrO2作为黏结层,研究了等离子体处理时间对基底表面微观结构以及化学组成的影响。通过优化工艺参数和增加基底表面的活性,提高了基底与黏结层的结合力,再通过过渡层将黏结层与镀层结合,解决了薄膜与基底热膨胀系数不匹配的问题。采用镀后离子束轰击技术解决了恒温恒湿时的膜裂问题。测试结果表明,减反射膜在400~700 nm波段的平均反射率为0.117%,且具备良好的耐环境性能。
薄膜 光学薄膜 环烯烃共聚物 热应力 等离子体处理 离子束轰击 中国激光
2021, 48(24): 2403003
强激光与粒子束
2021, 33(7): 071002
1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
2 长春理工大学材料科学与工程学院, 吉林 长春 130022
采用Ar等离子体处理GaAs纳米线,通过光致发光测试研究了等离子体偏压功率对GaAs纳米线发光性能的影响。在不同测试温度和不同激发功率密度下,研究了发光光谱各个发光峰的来源和机制。研究结果表明:随着功率增加,GaAs自由激子发光逐渐消失,束缚激子发光强度先减小后增大;当功率增加到200 W时,出现施主-受主对(DAP)发光。通过对比不同样品在283 ℃下的发光光谱,得到了等离子体处理过程中GaAs纳米线的结构变化:当处理功率较小时,Ar等离子体在消除表面态的同时将空位缺陷引入GaAs中;当处理功率较大时,GaAs的晶体结构遭到破坏,形成施主类型的缺陷,出现DAP发光。
光谱学 GaAs纳米线 Ar等离子体处理 光致发光 缺陷 偏压功率
1 江苏大学 机械工程学院, 镇江 212013
2 常州市大型塑料件智能化制造重点实验室, 常州 213164
为了解决激光透射难以实现连接聚苯乙烯与钛的问题, 采用氧等离子体处理后的聚苯乙烯与经激光表面处理的薄钛进行了激光透射连接。建立了激光透射连接工艺参量的数学模型, 分析了工艺参量对连接强度的交互式影响, 得到了优化工艺参量。结果表明,经过处理后的聚苯乙烯与薄钛再进行激光连接时, 其连接强度从0.5MPa提高到6.0MPa以上, 有效解决了聚苯乙烯与钛的激光透射连接难题; 通过优化工艺参量可获得最优的工艺参量组合。该研究为此工艺的工业应用奠定了基础。
激光技术 工艺参量优化 激光透射连接 响应曲面法 氧等离子体处理 表面处理 钛 聚苯乙烯 laser technique process parameter optimization laser transmission bonding response surface method oxygen plasma treatment surface treatment titanium polystyrene
1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
2 长春理工大学材料科学与工程学院, 吉林 长春 130022
利用Ar+等离子体处理ZnO纳米线, 通过对不同处理时间后的样品进行变温光谱测试, 分析了处理前后ZnO发光性质的变化。结果表明:随着处理时间的增加, 其室温带边发光强度先增加后减小, 处理90 s时是原生样品的2.45倍, 位于可见区的缺陷发光得到了抑制。通过10 K下发光谱的对比, 分析了等离子体作用的机理。当处理时间较短时, Ar+等离子体可以有效除去ZnO纳米线表面的杂质和缺陷, 提高其紫外发光强度; 而处理时间较长时, 将引入更多的深施主态缺陷, 破坏其晶体结构, 从而降低其发光性能。
材料 光致发光增强 Ar+等离子体处理 ZnO纳米线 表面态 中国激光
2018, 45(10): 1003002
利用等离子体处理单层石墨烯, 并制成pH传感器, 通过接触角仪、拉曼光谱仪、X射线光电子能谱仪、原子力显微镜表征石墨烯处理前后微观结构, 探究等离子体处理对石墨烯pH传感器灵敏度的影响。随等离子体处理时间增加接触角逐渐减小,亲水性提高。在拉曼光谱中, 处理后的石墨烯出现了D和D′两个明显的缺陷峰, 同时2D峰宽化。分析X射线光电子能谱, 确定了缺陷的类型和引入的含氧官能基团类型。运用原子力显微镜研究了处理前后石墨烯的微观形貌, 发现处理后石墨烯的面粗糙度增加。在最佳条件下, 等离子体处理的石墨烯pH传感器灵敏度较未处理之前提升了约300%。
表面光学 石墨烯 亲水性 等离子体处理 pH传感器 激光与光电子学进展
2017, 54(1): 012401
京东方科技集团股份有限公司 技术研发中心,北京 100176
主要分析了黑矩阵残留程度与SiNx、SiON、SiOx等基底表面亲水特性的关系,研究了等离子体处理对基底表面亲水特性以及黑矩阵残留的影响。首先,通过原子力显微镜和扫描电子显微镜对黑矩阵在不同基底表面的残留颗粒大小、表面粗糙度进行了测试。然后,使用接触角测试仪对不同基底表面的亲水特性进行了表征,分析了表面亲水特性和黑矩阵残留程度的关系。最后,研究了等离子体处理条件对基底表面亲水特性的影响,提出了采用O2/He等离子体对基底表面进行改性来解决黑矩阵的残留问题。实验结果表明:基底表面的水接触角越小、亲水性越强,黑矩阵在基底表面的残留越少;O2/He等离子体表面处理使基底表面的水接触角从17°降低到3°,增强了基底表面的亲水特性,并且黑矩阵工艺之后基底表面的粗糙度从3.06 nm降低到0.69 nm,消除了黑矩阵的残留。
等离子体处理 亲水性 接触角 黑矩阵 plasma treatment hydrophilicity contact angle black matrix
1 武汉大学物理科学与技术学院,电子显微镜中心和人工微结构教育部重点实验室, 武汉 430072
2 北京大学信息科学与技术学院, 北京 100871
3 东南大学物理系, 南京 211189
4 南京晶奥微光电技术有限公司, 南京 211100
采用具有良好光学特性的Cytop作为绝缘疏水层,探索了电润湿显示单元器件的制备工艺。采用了氧等离子处理的方法解决Cytop优良的疏水性与光刻工艺的不兼容性,实现了单个显示像素的可控收缩与恢复。在此基础上制备了面积为5 cm×5 cm的透射式和反射式的单色显示单元,表现出良好的显示效果,为下一步具有实用化的电润湿显示器件的制备奠定了坚实的基础。
电润湿 等离子体处理 Cytop cytop electrowetting plasma treatment