作者单位
摘要
长春理工大学光电工程学院, 吉林 长春 130022
根据紫外光学系统的设计要求,在K9基底上研制了254nm高反射率、可见光谱区高透过率的低通滤光片。根据膜系设计理论,通过针法优化,获得了干涉型低通滤光片的膜系;对电子束蒸镀HfO2和MgF2材料进行了研究,解决了材料喷溅的问题,减少了薄膜的吸收;采用考夫曼离子源,通过优化工艺参数,提高膜层致密性,解决了光谱曲线漂移的问题,改善了成膜质量。
紫外低通滤光片 考夫曼离子源 电子束蒸发 材料吸收 UV low-pass filter Kaufman ion source electron beam evaporation material absorption 
应用光学
2010, 31(2): 317
作者单位
摘要
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,光学技术研究中心,长春,130033
应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比(G),制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪(XRD)测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测量了2~22 μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试(XPS)计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜(AFM)测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明:制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14~3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度.
Ge1-xCx薄膜 电子枪蒸发 离子辅助沉积(IAD) 考夫曼离子源 
光子学报
2007, 36(4): 715

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