谷赝自旋是构筑光学拓扑绝缘体的重要手段，其性质决定了光波拓扑传输特性。双波段能谷结构为同时调控多波段范围内的光波提供了重要平台。构筑了具有双波段能谷结构的光子晶体超胞，研究了zigzag型和armchair型界面在两个波段内拓扑边界态的传输特性及鲁棒性。结果表明：对于zigzag型界面，对称型界面与反对称型界面的光波传输特性差异显著，对称型界面允许平面波传输而反对称型界面大幅抑制平面波传输；而对于armchair型界面，对称型界面与反对称型界面的光波传输未表现出差异性。对于允许平面波传输的界面，无论是zigzag型还是armchair型界面均对杂质、缺陷、尖锐拐角等具有良好的鲁棒性。双波段拓扑边界态传输特性的系统性研究对于拓展光学拓扑绝缘体的应用空间具有重要价值。

二维过渡金属硫族化合物自旋-能谷特性是近年来国际研究热点之一。介绍了过渡金属硫族化合物材料以及其异质结中独特的自旋-能谷特性。阐述了这两大类材料中自旋-能谷特性的研究进展。最后对基于二维过渡金属硫族化合物自旋-能谷特性的未来光电器件进行了展望。

对于微小尺寸的N型宽禁带立方氮化硼(CBN)半导体晶体, 在施加恒稳电场的情况下, 观察到电致发光现象。 通过置CBN单晶样品于光栅单色仪抛物面反射镜焦点的方法, 对于CBN的蓝紫光辐射获得了测试系统的最大入射光通量和理想的信噪比。 在350～450 nm波长范围内, CBN加上4.7×106 V?cm-1恒稳电场条件下, 测量出立方氮化硼的蓝紫光发射光谱。同时, 结合基于第一性原理的GGA方法计算出的立方氮化硼能带结构和电子态密度, 以及测量得到的非线性j-E关系和电击穿特性, 讨论了发光机理。 提出了在雪崩击穿前的缺陷偶极子极化和击穿后, 产生大量的激发态电子, 电子在Γ能谷和X能谷间迁移的发光机制。Cubic Boron Nitride Crystal