1 中国科学院半导体研究所, 北京 100083
2 中国科学院大学, 北京 100049
针对半导体激光器腔面光学灾变损伤的发生机制, 设计了一种单管芯半导体激光器腔面真空解理钝化工艺方法。在真空中解理并且直接对半导体激光器腔面蒸镀钝化膜, 提出用ZnSe材料作为单管芯半导体激光器真空解理工艺的钝化膜材料, 发现利用真空解理钝化工艺方法和ZnSe材料作为钝化膜可以使器件输出功率提高23%。通过电致发光(EL)对半导体激光器腔面损伤机理进行分析。进一步说明对915 nm半导体激光器制备工艺中引入真空解理钝化工艺技术并且选择ZnSe作为钝化膜可以有效保护半导体激光器腔面, 提高器件可靠性。
半导体激光器 腔面钝化 真空解理钝化 失效分析 semiconductor laser facet passivation cleaving in high vacuum failure analysis 红外与激光工程
2019, 48(1): 0105002
长春理工大学, 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
提升宽条形半导体激光器腔面抗光学灾变（COD）能力，改善宽条形半导体激光器的输出工作特性，一直是高亮度大功率宽条形半导体激光器器件工艺研究的核心。基于氮氢混合气体的等离子体反应钝化原理，通过AlN高效导热薄膜作为腔面钝化保护层，实现器件最大输出功率提高达66.7%；连续电流工作时，3.5 W功率输出的情况下，其千小时退化率小于0.73%。
光电子学 高亮度大功率半导体激光器 等离子体 腔面钝化 激光与光电子学进展
2013, 50(12): 122502
