利用传输矩阵法及对色散缺陷层采用洛伦兹振子模型，研究了一维含色散缺陷的Sinc 函数型光子晶体的光子禁带和色散缺陷模，计算了该周期结构的复有效折射率。结果表明，加入缺陷层后可获得宽阔的光子禁带；缺陷层引入色散后在中心圆频率附近色散缺陷模出现；随着振子强度的增大，增益性缺陷模圆频率发生阶跃式移动，其透射率显著增大，而吸收性缺陷模的透射率显著减小，此时缺陷模处的色散曲线有一个近乎垂直的斜率，此处的群速度将大大降低；增益性缺陷层基底折射率对缺陷模频率影响显著；缺陷层位于周期结构中心层时缺陷模频率最低、透射率最大。增大入射角使得缺陷模红移，增益性缺陷模在特殊入射角处透射率会出现千倍增益。