提出了一种新的低功耗TFT-LCD设计, 该TFT结构具有不同以往的彩色滤光片结构, 并带有减薄后的图形化钝化层, 使得液晶电场的操作效率增加, 并减少电场的耗损。该设计的光学特性使用了数值分析方法来加以仿真, 仿真结果指出新显示屏的操作电压比传统显示屏更低, 进而整体功耗被降低。实际样品的功耗测量结果也与仿真结果相符。

Particle Gap是TFT-LCD制程中常见的一种缺陷。以55 UHD产品为例, Particle Gap发生率约为1.0%, 对产品良率影响较大, 为提升液晶屏品质和客户满意度, 急需改善此不良。文章结合不良现象研究Particle Gap的主要异物模式, 最终通过改善CF研磨失败异物、沙粒状异物和透明状异物这种模式达到整体Particle Gap降低的效果。首先利用流程图分析影响异物模式的关键步骤, 然后通过鱼骨图、决策矩阵、假设检验验证找出影响异物模式的显著因素, 最后通过合力促进法总结出显著因素的最佳改善方案, 导入量产并文件标准化, 可平行推广至55UHD以外的其它尺寸。改善结果表明：通过以上3种异物类型的改善, 55UHD Particle Gap发生率降低至少30%, 为公司带来了巨大且显著的硬性节省。

本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下，通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion 7%、降低SS 3%、同时对Ioff以及TFT稳定性影响不明显，显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下，达到整体提升TFT特性的效果。顶栅极 TFT 特性不如底栅极，推测为 a-Si/PVX 界面不佳使得电子导通困难导致，未来可以借由改善a-Si/PVX 界面工艺提升顶栅极 TFT 特性。

通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响。实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构（源漏极→ITO像素电极）二者有比现行HADS结构（ITO像素电极→源漏极）更高的Ion，提升比率达到40%。推测主要原因为现行HADS结构（ITO像素电极→源漏极）在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N+与源漏极之间接触阻抗导致Ion降低。对于HADS产品，倒反HADS结构（源漏极→ITO像素电极）可以具有更好的TFT特性表现。对现行HADS结构，在沟道形成工序前的N+表面ITO残沙程度越少则Ioff越低；对于倒反HADS结构，沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响。对于Poole-Frenkel区域，现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构（源漏极→ITO像素电极）二者较低Ioff［Vg=-20 V］，下降达50%,主要为N+与源漏极之间接触阻抗增加的影响。