在放电间隙较大的介质阻挡放电中， 利用高速照相机， 同时观察到了体放电（VD）和沿面放电(SD)。 采用光谱法， 研究了VD和SD的光谱线形随放电参数的变化。 在氩气介质阻挡放电中， 测量了VD和SD的Ar Ⅰ（2P2→1S5）谱线展宽和频移随气压及放电间隙的变化。 结果发现： SD的展宽和频移均比VD的大， 说明SD的电子密度高于VD的电子密度； 随着压强从40 kPa增大到60 kPa， VD和SD的谱线展宽及频移均增加， 表明它们的电子密度均随压强的增大而升高； 随着d值从3.8 mm增大到4.4 mm， VD和SD的谱线展宽也增加， 反映它们的电子密度均随d值的增大而增加。

在氩气/空气的混合气体近大气压介质阻挡放电中, 首次观察到点状与线状放电共存的放电现象, 测量比较了点状与线状放电的谱线频移和振动温度。 谱线频移的测量利用的是氩原子ArⅠ(2P2→1S5）的发射谱线, 振动温度的测量利用的是氮分子第二正带系(C3Πu→B3Πg) 的发射谱线。 结果表明: 点放电中的ArⅠ(2P2→1S5）谱线的频移大于线放电谱线的频移, 表明前者电子密度较高; 而点放电振动温度低于线放电的振动温度。

在氩气/空气的混合气体介质阻挡放电中， 首次在高温条件下观察到亮点和暗点共存的放电， 比较了中心亮点及四周暗点放电的谱线频移， 并测量了它们的振动温度。 实验采用氩原子ArⅠ(2P2→1S5)的发射谱线测量谱线频移， 采用氮分子第二正带系(C3Πu→B3Πg)的发射谱线测量振动温度。 结果表明： 中心亮点放电中的ArⅠ(2P2→1S5)谱线的频移大于四周的暗点放电谱线的频移， 表明前者电子密度较高； 四周的暗点的放电振动温度高于中心亮点放电的振动温度。

在氩气/空气混合气体的介质阻挡放电中, 研究了直径及运动状态均不同的两种放电丝发光中Ar Ⅰ(2P2→1S5)谱线的频移以低气压(10 Pa左右)的氩气放电发射的Ar Ⅰ(2P2→1S5)光谱线作标准线和展宽随空气含量的变化。 在大气压条件下, 当空气含量从0.4%变化到4%时, 观察到了规则排列的静止的粗放电丝(静止大点)与运动的细放电丝 (往复运动的小点, 其轨迹为细线)两种不同的放电丝。 分别测量了大小点中Ar I(2P2→1S5)谱线的频移及其随空气含量的变化, 结果发现: 二者均随空气含量的增加而增大； 在任一空气含量下小点谱线的频移均大于大点的频移, 二者差值先是减少至空气含量为1%后两者的频移变化趋势大体同步。

在狭缝微等离子体中, 研究了Ar Ⅰ(2P2→1S5)光谱线的展宽和频移随放电参数的变化。 为了测量谱线频移, 采用低气压(10 Pa左右)氩气放电发射的Ar Ⅰ光谱线作为参考线。 实验在氩气含量为99.92%的氩气/空气放电中, 测量了气压从1×104 Pa增大到6×104 Pa时Ar Ⅰ谱线的频移和展宽。 结果表明随着气压的升高, Ar Ⅰ谱线的展宽和频移均线性增大, 说明电子密度随着气压的升高而增大。 实验还研究了放电气隙间距为100及300 μm时, Ar Ⅰ发射谱线的频移及展宽的变化, 结果发现随着放电气隙间距的增加, 谱线的频移及展宽均增加, 表明电子密度随着放电气隙间距的增大而升高。