为改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性, 提高其光电性能, 研制了新型辐射桥结构的VCSEL, 即采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道。研究表明辐射桥结构可以降低VCSEL器件的体电阻和热阻, 改善器件的模式特性。在同一外延片上, 采用相同的工艺制备了辐射桥结构与传统结构两种VCSEL器件, 并对两种器件的光电性能进行了对比测试。结果表明, 辐射桥结构VCSEL比传统结构的VCSEL微分电阻降低25％, 输出功率提高到1.6倍;辐射桥结构的VCSEL具有良好的温度特性与模式特性, 80 ℃时仍能正常激射, 60 ℃时最大输出功率可达17 mW, 器件的热阻可达1.95 ℃/mW;器件单模工作, 其总体性能远优于传统结构的VCSEL器件。