本文介绍了我们从拉曼光谱强度出发, 导出分子极化率, 从而研究分子结构信息的理论依据和研究方法, 并以硫脲分子为例, 通过分析其吸附在银电极上的表面增强拉曼光谱强度和水溶液的紫外拉曼光谱强度, 推断出硫脲在电极表面的吸附构形以及水溶液的结构, 结果表明: 从拉曼强度光谱出发, 确实可以得到许多有意义的物理结论, 而这些结论, 是单从拉曼频率是不能得出的。

建立双面印刷品的色彩预测模型一直是印刷中的一个重要课题。将入射到印刷品的光根据其在垂直于印刷品中所走过的路径的不同, 将其分成四大部分, 即: 从正面油墨进入, 经过纸张, 再从反面油墨出射; 从正面油墨进入, 从纸张出射; 从正面空白区域入射, 从反面油墨出射以及直接穿过纸张。所建立的相关的模型以Kubelka-Munk四能流理论为基础, 通过对上述四部分的反射率与透射率相加便得到了整个双面印刷品的反射率与透射率。

本文以密度泛函理论(density functional theory, 简称DFT)采用B3LYP混合泛函和6-31++G(d, p)基函数组计算的葡萄糖的分子振动光谱为根据, 首次对葡萄糖分子的常规拉曼光谱(NRS)进行了详细的指认, 并对葡萄糖分子的振动模式进行了归属。在以4-巯基吡啶为桥联剂分子修饰的银镜衬底上, 观测到葡萄糖分子的表面增强拉曼散射(SERS), 并对葡萄糖分子在银表面的吸附状态进行了分析。

用电解法制备了一种纳米银膜, 并用扫描电镜和透射电镜进行了研究。我们得到了银膜上的氯霉素的SERS谱, 并且用gaussian’98软件对氯霉素的Raman谱进行了运算, 发现实验结果和理论计算结果有很好的相似性。本实验说明电解法制备的纳米银膜对于检测氯霉素有很好的应用前景。

本文主要对超声喷雾热解方法生长在本征Si衬底上的N－In共掺的p型ZnO薄膜的Raman光谱进行了研究。通过洛仑兹(Lorentz)模型和等离子激元与纵光学声子耦合模理论模型拟合不同浓度下的室温Raman光谱, 我们对样品的Raman峰进行了指认; 同时也得到了样品的空穴浓度和迁移率, 结果和霍耳测量得到的空穴浓度和迁移率符合的较好, 证明了霍耳测量p型ZnO薄膜得到的电学参数是可信的。随后我们又对不同浓度的p型ZnO薄膜的变温Raman光谱进行研究,运用一个详细的模型(考虑了晶格热膨胀、残余应力、和三声子、四声子衰变)描述不同浓度下各个样品Raman光谱中的等离子激元与纵光学声子耦合模随温度变化的情况。分析拟合参数, 可以清楚地了解随着浓度的增加耦合模参数随温度的衰变行为。

以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%, 质量百分比)为原料, 采用真空蒸发--还原工艺, 在不同退火温度下还原出不同组分的VOX薄膜。利用X射线衍射仪, X射线光电子能谱仪和紫外-可见分光光度计对薄膜进行测试和分析, 得到了不同退火温度与薄膜结构和其光学特性的关系。结果显示: V2O5中的V5+随着退火温度的上升被还原, 退火温度为450℃时, V4+含量最高, 结晶最好, 500℃时, 薄膜组分表现出逆退火现象, 温度进一步升高, 钒再次被还原。

采用高温固相反应方法制备了高质量的Ba0.95Eu0.05TiO3多晶陶瓷, X-射线衍射谱(XRD)表明所制备的材料为单相, SEM的图象显示材料致密。用波长为514.5 nm激光光源激发, 在温度83 K-553 K区间内对Ba0.95Eu0.05TiO3陶瓷进行了系统的拉曼实验研究, 实验证明散射强度是温度的函数, 在相变点附近散射强度发生突变, 同时Eu3+对Ba2+的替代导致了BaTiO3相变温度向低温方向位移。我们并对其物理机理进行了探讨。

本文以Mo1-Fe10-MgO为催化剂, Ar为载气, CH4为碳源, 在不同的温度下制备SWCNTs。利用显微激光拉曼研究了不同的制备温度对生成SWCNTs的质量的影响, 得到制备SWCNTs的温度窗口, 给出最佳制备温度。

本文用熔融盐法合成固体粉末LiCoO2。用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、循环伏安(CV)和拉曼光谱对其进行了表征。结果显示制得的样品是纳米尺寸的层状结构LiCoO2, 尺寸分布比较均匀。在充放电过程中LiCoO2的结构发生了变化。锂离子脱出和插入LiCoO2的晶格中导致结构缺陷, 使其拉曼峰位发生了有规律的变化: Eg模对应的拉曼峰位随着充放电电压的升高而蓝移; A1g模对应的拉曼峰位随着充放电电压的升高而红移。

本文采用改进的流化床装置对碳纳米管进行空气氧化处理、浓盐酸浸泡处理、空气氧化、浓盐酸浸泡组合处理, 利用扫描电镜和拉曼光谱方法检测了四种处理方法对碳纳米管提纯的效果, 结果发现, 在873 K经空气氧化30分钟, 再用浓盐酸浸泡10分钟, 这种组合处理方法下, 得到的单壁碳管纯度最高, 产率最大。

ZnO陶瓷材料是用高温固相反应工艺制备。XRD 表明材料为单一的六方纤锌矿结构。我们在温度103 K~583 K间, 对陶瓷ZnO进行了系统的拉曼光散射的研究, ZnO有A1, B1, E1和E2等晶格振动模, 我们系统地分析与讨论了其中的E2模和A1模的温度变化规律。散射峰的拉曼位移和半高全峰宽随温度的变化而改变, 这种改变是由于晶格热膨胀和格点的非简谐振动的温度效应,在此物理模型基础上, 进行了实验结果的完整的理论数值分析与讨论。

本文检测了中药灯盏花注射剂、刺五加注射剂和香丹注射剂的红外谱图, 并对其进行了分析、比较。这些中药注射剂的红外谱图在2000 cm -1以上波数段非常相似, 2000 cm -1以下波数段差异较大。通过对注射剂众多谱线的分析, 推断出中药灯盏花、刺五加和香丹的主要成分是多环芳香烃衍生物, 并且含有大量的-OH。刺五加的特征谱线1420 cm-1和1603 cm-1表明刺五加中含有-COOH。灯盏花的特征谱线1237 cm-1和1279 cm-1对应含氧环的振动, 说明灯盏花的化学结构式里有含氧环这个官能团。上述结果与目前中药注射剂的主要研究方法HPLC得出的结论是一致的。

实验测量了亚乙基硫脲分子的拉曼和红外光谱, 用量子化学方法计算了分子的几何构型以及振动频率, 以实验频率为标准对分子内力场进行了标度, 采用简正振动分析方法得到了各振动频率的势能分布, 从而对亚乙基硫脲分子的振动频率归属做出了全面指认。

本文通过总黄酮含量测定和傅里叶红外光谱相关分析, 探讨了云南不同产地灯盏细辛药材黄酮含量相关的特征峰。30份样品红外光谱的峰形、峰位极相似, 但吸收峰的相对强度有一定差异, 其中16份样品的第一强峰出现在1034 cm-1附近, 14份样品的第一强峰在3401 cm-1附近。为进一步探讨峰强度与实测黄酮量关系, 我们用SPSS软件, 对3436, 3379, 1639, 1611, 1420, 1374, 1250, 1034, 535, 473 cm-1处峰强与实测黄酮量的关系进行了多元对数相关回归分析, r=0.605(复相关系数) p=0.007(概率) 经过统计分析3436, 1639和1250 cm-1处峰强与实测黄酮量具有密切相关关系。结果表明, 可以用以上三个特征峰强来定性判断黄酮的含量, 结果对灯盏细辛的生产应用、品种选育、栽培技术研究具有一定的指导意义。

文章利用傅里叶变换红外光谱法, 对云南省普洱地区不同厂家所生产的不同贮存年限的熟茶和生茶样品进行鉴别研究。实验结果表明, 普洱熟茶和生茶的红外光谱十分相似, 但由于加工工艺不同, 贮存年限不同, 其主要化学成分的组成比例不同, 因而熟茶和生茶、自然发酵和人工发酵的熟茶等均具有各自的特征谱。根据红外光谱的特征吸收, 不仅可以区别熟茶和生茶, 还可以区别自然发酵和人工发酵的熟茶, 区别贮存时间的长短。用傅里叶变换红外光谱法鉴别茶叶, 有快速、简便和直观的特点。

目前, 等离子体发射光谱应用于中频丙酮等离子体的研究鲜有报道。自建大气压氩∕丙酮喷射中频交流放电等离子体装置, 采用HR2000光纤光栅光谱仪对放电光谱进行记录, 并对实验中的光谱信号进行分析诊断。研究结果说明, 对大气压环境下, 使用氩气为“载气”, 对可挥发有机溶剂进行等离子发射光谱分析是一种可行的技术; 大气压下丙酮等离子体的活性成分和真空环境下丙酮等离子体产生的活性成分有很大区别, 氧元素对两种气压下等离子体活性成分有很大改变; 这种诊断方法对大气压下挥发性有机试剂的等离子体化学反应原理的研究, 有重要的指导意义。此外, 文中展示了大气压下丙酮沉积膜在两种光源下的形貌图, 结果说明在一定实验条件下得到了连续的沉积膜。

随着对印刷精度的要求的不断提高, 专色印刷越来越重要。本文以涂料纸印刷为基础, 在假设没有油墨渗透的情况下, 且油墨与纸张均为均匀分布, 利用Kubelka-Munk模型来研究专色印刷的光谱反射规律。印刷中色彩的再现不仅与印刷的油墨有关, 也与印刷的纸张有关, 是纸张与油墨共同作用的结果, 本文分析了对专色印刷呈色效果的各种影响因素, 可以为专色油墨的配制提供理论依据。

阳极氧化铝(AAO)模板作为一种制备表面增强拉曼散射光谱(SERS)基底的工具被广泛使用。为了制备SERS效果更好的基底, 研究AAO模板自身的属性显得极为重要。本文以0.4 mol/L的草酸为电解液制备出高度有序的AAO模板。发现其吸收光谱在203、250、275 nm处有三个吸收峰, 其中203和275 nm处的吸收峰, 分别由F心(带两个电子的氧空位)和F+心(带一个电子的氧空位)产生。而250 nm处的吸收峰, 由制备过程中引入的草酸根离子产生。并给出了随着退火温度升高250、275 nm的吸收峰消失的合理解释。通过对不同氧化时间、氧化电压下制备的AAO模板吸收光谱的研究, 发现延长氧化时间对AAO模板吸收带边的红移影响不大, 而升高氧化电压则使AAO模板的吸收带边出现了明显红移。表明氧化电压的升高对AAO模板的内部结构及缺陷的变化影响极大。