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相同栏目【新型显示与战略性电子材料专题】论文列表

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新型显示与战略性电子材料专题

基于200 mm硅基GaN的单色Micro LED微显示芯片制备及量产难点分析

彭劲松 ¹杨建兵 ¹殷照 ¹汪曾峰 ¹[ ... ]吴焱 ²

作者单位

摘要

¹ 南京国兆光电科技有限公司，南京2006

² 中国电子科技集团公司第五十五研究所，南京10016

应用200 mm硅基GaN外延片，研究晶圆级键合、薄膜转移和微小尺寸像素制备等技术，实现了Micro LED微显示阵列的点亮与显示功能。相对于传统蓝宝石基GaN外延晶圆，200 mm硅基GaN外延晶圆与硅基驱动晶圆尺寸更匹配，有利于通过晶圆键合工艺实现低成本量产。同时对工艺量产的难点和解决思路进行了分析，指出显示缺陷是目前亟待解决的问题。

发光二极管微显示芯片硅基氮化镓外延片显示缺陷 Micro LED micro-display chip silicon-based LED epitaxial wafer display defect

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光电子技术

2023, 43(2): 129

新型显示与战略性电子材料专题

光场显示技术的研究现状与发展趋势

康家欣 ¹王文雯 ¹彭玉颜 ¹张家振 ¹[ ... ]张永爱 ^1,2

作者单位

摘要

¹ 福州大学物理与信息工程学院，福州 35008

² 中国福建光电信息科学与技术创新实验室，福州350108

目前常用的三维显示技术，一般是通过人眼的双目视差和视觉暂留效应实现的三维效果。由于丢失了深度信息，会引起辐辏调节冲突，使观看者产生不适感。光场显示是通过复现物体表面光线的真三维显示技术，其拥有良好的用户体验，符合人们对于未来显示的需求。文章梳理了各种光场显示技术的原理和特点，分析了国内外光场显示技术的发展现状，整理了国内外的研究进展和代表性样机的性能，最后对我国光场显示的发展进行了展望。我国光场显示虽然起步稍晚，但经过多家科研机构的一致努力，已在国际上拥有一定的地位。

光场显示三维显示集成成像近眼显示悬浮光场显示 light field display three-dimensional display integral imaging display near-eyes display floating light field display

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光电子技术

2023, 43(2): 116

新型显示与战略性电子材料专题

探索Micro LED巨量转移技术破冰之旅

作者单位

摘要

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光电子技术

2023, 43(2): 114

新型显示与战略性电子材料专题

Micro LED当前面临的瓶颈及技术进展

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Jia ZHOU Jinjian YAN Zhiqiang LIU Ying JIANG [ ... ]Deyun ZHOU

作者单位

摘要

School of Microelectronics， Northwestern Polytechnical University， Xi'an 7092， CHN

Micro LED技术作为下一代显示技术的前沿研究领域，具备高亮度、高对比度和高能效等优势。回顾了Micro LED技术的发展历程，重点介绍了其技术难点以及当前的进展情况。技术难点包括外延结构设计、芯片制备中的尺寸效应、全彩化问题、Micro LED系统集成和可靠性研究。当前的进展涵盖了侧壁效应抑制、全彩化方案、巨量转移技术、氮化物红光技术、色转换技术、垂直堆叠技术、CMOS和TFT驱动、三维集成技术、透明显示以及纳米LED。最后展望了Micro LED技术的未来发展方向，包括解决技术难题、推动产业化进程和实现更广泛的应用。

微缩矩阵化发光二极管尺寸效应全彩化系统集成 Micro LED size effect full color system integration

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光电子技术

2023, 43(2): 91

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