硅基OLED驱动芯片温度反馈PWM电路设计
1 引 言
硅基OLED微显示技术是近年来快速发展的新型技术之一,该技术以单晶硅半导体为有源驱动背板,将有机电致发光器件蒸镀其上,在电场驱动下,通过载流子注入与复合产生可见光[1-2]。与其他显示技术相比,硅基OLED微显示技术更容易实现高像素密度和高集成度,且具有低功耗、工作温度宽等优点,是未来可穿戴显示设备的最佳选择之一[3-5]。
由于OLED器件发光依赖于有机载流子的迁移与复合,而半导体中载流子浓度与温度相关,导致载流子迁移具有明显的温度特性。因此,OLED器件的I‑V特性也受到温度影响,尤其是在较低和较高温下,载流子浓度变化较大,OLED发光亮度会有明显波动。为解决这一问题,使OLED微显示器在宽温度范围内保持亮度一致性,目前普遍采用的方案是改变OLED器件共阴极电压(Vcom)大小,以调节器件发光亮度。这种方案的缺点是改变Vcom的大小会引起OLED发光的伽马(GAMMA)特性改变,从而导致屏幕灰阶特性变化,影响显示效果。
文中介绍了一种基于温度反馈的利用脉宽对Vcom进行调制(Pulse Width Modulation,PWM)的电路方案,能够固定Vcom电压值,避免屏幕灰阶特性变化。该方案可以根据温度的变化自动改变Vcom电压占空比,从而调节每个像素单元的发光时长,达到在宽温度范围内维持OLED显示亮度一致性的目的。
1 OLED器件发光亮度的温度特性
OLED器件发光依靠半导体材料中载流子的迁移与复合,在外加电场作用下,阳极产生的空穴和阴极产生的电子会分别迁移至发光层,在发光层相遇时产生可见光。OLED器件发光强度与驱动电流成正比。然而,半导体材料的载流子密度受温度影响,若固定驱动电压,温度变化时,OLED器件的驱动电流大小也随之变化,从而导致器件发光亮度变化[6-7]。
为得知OLED器件发光亮度与温度关系,测试多组不同温度下OLED微显示器亮度,并使用Matlab对所得数据进行拟合,得到如下指数函数模型:
其中,L表示温度为T时的微显示器亮度,L0表示常温下的微显示器亮度,T0表示常温温度,m为指数函数模型的参数,且。
为使不同温度下OLED微显示屏发光亮度保持一致,目前多数方案是通过改变OLED器件的共阴极电压来控制流过其电流大小。然而,当共阴极电压发生改变,受MOS管I‑V曲线非线性以及体效应影响,屏幕灰阶特性发生变化,导致显示效果明显变差。
如图1所示,当Vcom电压由-4 V变为-5 V时,OLED微显示屏的灰阶特性发生改变。
图 1. 屏幕在不同V com下灰阶特性曲线
Fig. 1. Gray-scale characteristic curves under different V com voltages
2 基于温度反馈的Vcom PWM调亮电路方法
2.1 Vcom PWM调亮原理
由于亮度是光强辐射在人眼视网膜上的强度与作用时间的积分,因此,要使人眼感知的OLED微显示屏亮度不同,可以选择保持OLED器件发光强度不变,而改变其发光时间。基于此原理,可以将Vcom电压设计为幅度一致而占空比不同的脉宽信号,以实现对其发光时间控制[8]。
图2是OLED微显示芯片Vcom电压用PWM进行调制的信号时序图。当Vcom电压为低电平时,微显示屏发光,当Vcom电压为高电平时,微显示屏不发光。
如图2时序所示,VS为帧同步信号,每一帧的开始,VS为高电平,此时读取PWM值,控制当前一帧时间内Vcom的占空比。第n行像素在高电平时读取数据,并在Vcom为低电平时发光显示,直到下一个高电平时再读取新的数据。可以看出,每一行像素在一帧内的发光时间均为t1,因此,调整Vcom占空比,即改变PWM值可以控制屏幕显示亮度。
2.2 温度反馈PWM稳亮原理
PWM调亮方案能够解决调节Vcom导致屏幕灰阶特性变化的问题,为使屏幕亮度调节更加智能化,提出了温度反馈PWM稳亮方案,该方案以PWM调亮原理为基础,能够根据温度变化自动调节Vcom占空比。
已知OLED微显示器亮度与温度变化满足公式(1),为使微显示器在全温范围内保持亮度L0,调节OLED器件发光时间即Vcom电压脉宽的推导过程如下:
设一帧时间为,温度为T时OLED器件在一帧时间内发光时间为t,那么温度为T时OLED器件在一帧时间内平均发光亮度为:
设常温下OLED器件在一帧时间内发光时间为t0,那么常温下OLED器件在一帧时间内平均发光亮度为:
由公式(2)和(3)可以得出:为了使OLED器件在温度T时保持常温亮度,即,则温度T时,OLED器件在一帧时间内发光时间为:
以微显示器一行时间为单位时间将发光时间t量化为发光时间级数,即Vcom脉宽,控制OLED器件共阴极电压Vcom打开的时间。常温下的Vcom脉宽用pwm_base表示,则公式(4)可以转换为如下形式:
其中,表示温度为T时的Vcom脉宽。
得到Vcom脉宽与温度的关系表达式后,需要通过实际测试数据与计算拟合确定公式中的m的表达式。然而,实验过程中发现m的表达式过于复杂,需要大量测试数据,不利于应用。因此,采用分段线性近似的方法对式(5)进行拟合,极大地减少了测试数据量和计算量,同时也简化了电路实现。
该方法首先根据不同温度下OLED微显示屏亮度变化程度对温度区间进行划分,然后选择易于计算的一次函数对各区间进行拟合,再利用测试数据计算出各区间斜率,即可得到发光时间调制函数。由于使用一次函数进行拟合,每个区间仅需要两组测试数据即可计算出区间斜率,并得到该区间函数表达式,简化了测试数据和计算步骤。同时,该方法可以根据实际情况灵活进行区间划分,以得到最优效果。
本设计中,将0 ℃以下每16 ℃分为一个温度区间,0 ℃以上每32 ℃分为一个温度区间,常温将其所在的温度区间再分为两个温度区间。
计算每个温度区间端点对应的Vcom脉宽和每个温度区间的Vcom脉宽与温度之间的斜率,小于常温的温度区间以右端点为基准,大于常温的温度区间以左端点为基准,得到发光时间调制函数的分段线性拟合函数:
其中,表示第i个温度区间内温度为时的Vcom脉宽;表示第i个温度区间作为基准的Vcom脉宽;表示第i个温度区间的斜率;表示第i个温度区间内温度T与基准的温度差,其中;temp_base表示常温。
图3是本设计得到的发光时间调制函数的分段线性拟合曲线图,其中横坐标表示温度读数,可以用于对驱动芯片的实际温度进行量化和标定,如temp_base=74表示常温25 ℃的温度读数;纵坐标表示一帧时间内的Vcom脉宽,其范围可以根据微显示器的视频信号分辨率进行调整,如图3中的pwm_base表示常温25 ℃下的Vcom脉宽。pwm_a~pwm_f为各温度区间端点的Vcom脉宽,k1~k6为各温度区间的斜率。
2.3 基于温度反馈的PWM调节电路设计
文中设计的基于温度反馈的PWM调节电路如图4所示,OLED微显示器驱动芯片内含温度检测模块,能够实时检测驱动芯片温度,并将检测到的温度转化为8位数字码并由I2C接口送入占空比产生电路。占空比产生电路是将上一节得到的发光时间调制函数通过Verilog代码实现,并转化为数字电路得到的电路模块,且已集成在芯片中。将8位温度数字码送入占空比产生电路后,该模块即可将对应温度下OLED器件Vcom脉宽以脉宽调制(PWM)波形输出,并作为Vcom电压开关波形,控制共阴极电压Vcom在一帧时间内的打开时间。由此,就能够实现OLED微显示器在较宽温度范围内保持亮度一致性的目的。
3 测试结果
文章设计的基于温度反馈的PWM电路在OLED微显示器上进行了应用,测试结果如下图所示。首先,确定常温下的Vcom脉宽以及温度反馈曲线在不同温度区间内的斜率,然后,在-25 ℃~70 ℃范围内对芯片亮度进行测试。
图 5. 不同温度下OLED屏幕亮度测试结果
Fig. 5. Test results of OLED screen brightness at different temperatures
由上图可知在-25 ℃~70 ℃区间内,当PWM调亮电路关闭时,该OLED微显示器亮度与常温下差距最大可达380 cd/m²,当PWM调亮电路开启时,该OLED微显示器亮度与常温下亮度差小于4.57 cd/m²。
在-25 ℃~70 ℃温度范围内,对采用Vcom调亮方式和PWM调亮方式的OLED屏幕灰阶分别进行测试,得到结果如图6。可以看出,采用PWM调亮方式,不同温度下屏幕的灰阶一致性明显优于采用Vcom调亮方式。
4 总 结
文章提出了一种可用于硅基OLED驱动芯片的温度反馈PWM调节电路。该电路能够实时检测当前温度变化,并根据检测结果产生对应的PWM波形,以调制加在OLED阵列上的共阴极电压,从而实现在温度变化时,保持OLED微显示器屏幕亮度和灰阶特性不变。电路采用0.18 μm 1P6M混合信号工艺完成了电路设计和流片验证,仿真和测试结果表明,当温度从-25 ℃至70 ℃变化时,屏幕亮度与灰阶特征保持不变。
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邱伟, 秦昌兵, 朱会成, 徐亭亭, 张白雪. 硅基OLED驱动芯片温度反馈PWM电路设计[J]. 光电子技术, 2022, 42(1): 36. Wei QIU, Changbing QIN, Huicheng ZHU, Tingting XU, Baixue ZHANG. A Temperature Feedback PWM Circuit Design for Silicon‑based OLED Driving Chip[J]. Optoelectronic Technology, 2022, 42(1): 36.