多路并联二极管辐射场剂量均匀性研究
辐射模拟装置是开展辐射探测和辐射效应技术研究的重要平台[1],随着研究的逐渐深入,对模拟装置辐射场参数的要求也在不断提高。X射线辐射热力学效应[2]、半导体器件剂量效应[3],尤其是X/γ射线引起的系统电磁脉冲效应[4-6]等研究中对X射线源的能量、面积、剂量均匀性以及剂量率都有相应的要求。脉冲功率装置驱动二极管产生强流电子束,利用强流电子束轰击高原子序数阳极靶发生轫致辐射是当前国内外普遍采用的产生X射线的技术路线[7-9]。为了得到低能量的X射线,二极管电压应尽可能低;为了获得较高的剂量率,在电压一定的情况下,应尽可能提高二极管的工作电流,减小二极管阻抗;为了实现大面积均匀辐照,通常采用球板或者环板结构作为二极管阴极的基本构型[10]。环形结构的轫致辐射二极管可以在较大面积内提供均匀性比较好的辐射场环境,通过多环的并联能够进一步增大辐照面积,提高剂量,降低X射线能量[11-12]。目前,用于产生大面积轫致辐射的低阻抗真空二极管主要有平面二极管和并联式二极管。国内西北核技术研究所“闪光二号”采用的就是平面二极管结构[13],这种结构的缺点是容易产生箍缩,从而使得电子发射趋于集中。美国Sandia实验室的Saturn装置采用并联式二极管结构[10],它能够同时将多个二极管的辐射叠加来获得大面积且均匀的X射线输出。本文在文献[12]工作的基础上,首先计算了单路二极管的辐射场特性,然后开展了五路并联二极管的辐射场特性研究,研究结果对于优化多路并联二极管结构设计、获取最优辐射场以及效应实验设计具有指导意义。
2 1 计算方法
文献[12]计算四路并联二极管的辐射时,圆环只是按照半径方向进行了网格划分,环的内外径相差较大时,这种网格划分的计算误差较大。本文将二极管在圆周和半径两个方向划分为若干小面元,数值积分每一个小面元的辐射剂量就可以得到整个二极管的辐射剂量;小面元向外辐射时,可以看作是点源,计算每一个小面元的辐射剂量时,需要计算小面元在测量点的投影面积。不考虑衰减时,强度为S0(rad)的小面元以球面波的形式向外辐射,其向外辐射的剂量
式中:a为小面元与测量点的距离,cm;
本文数据均按测量平面的最大值进行了归一化处理,定义剂量均匀性为当前剂量与该平面最大剂量的比值,因此,剂量均匀性即为当前剂量。
3 2 单路二极管辐射场
3.1 2.1 计算模型
如
3.2 2.2 不同平面上归一化剂量分布
图 3. 不同平面上归一化剂量分布:(a)z=3 cm;(b)z=9 cm
Fig. 3. Dose distribution of different planes: (a) z=3 cm; (b) z=9 cm
由
由
3.3 2.3 圆环内径不同时归一化剂量分布
图 6. R2=10 cm,内径不同时,z=8 cm平面上归一化剂量分布:(a)R1=4 cm;(b)R1=7 cm;(c)R1=9.5 cm
Fig. 6. Dose distribution with different inner radius of z =8 cm plane: (a) R1=4 cm; (b) R1=7 cm; (c) R1=9.5 cm
由
4 3 五路并联二极管辐射场
4.1 3.1 计算模型
如
4.2 3.2 剂量分布结果
图 9. 不同平面上归一化剂量分布z=(a)3 cm、(b)7 cm、(c)9 cm和(d)11 cm
Fig. 9. Dose distribution of different planes of z=(a) 3 cm, (b) 7 cm, (c) 9 cm, and (d) 11 cm
图 10. 不同距离处圆环对角线方向归一化剂量分布z=(a)3 cm、(b)7 cm、(c)9 cm 和(d)11 cm
Fig. 10. Dose distribution in the diagonal direction at different distances of z=(a) 3 cm, (b) 7 cm, (c) 9 cm, and (d) 11 cm
图 11. 不同距离处圆环中轴线方向归一化剂量分布:(a)3 cm、(b)7 cm、(c)9 cm、(d)11 cm(彩色见网络版)
Fig. 11. Dose distribution in the axis direction at different distances of z=(a) 3cm, (b) 7cm, (c) 9 cm, and (d) 11 cm (color online)
5 4 结论
采用点源数值积分的方法开展了单路二极管和五路并联二极管的辐射场剂量均匀性研究。结果表明:随着距离的增大,每一个环的辐射场由马鞍形到余弦形最后过渡到梯形,圆环内径的大小对剂量均匀性的影响较大;相比单环,多环并联结构能够大幅增强辐射剂量、明显改善辐射场剂量均匀性和显著增大有效实验区域。二极管优化设计中,需要根据模拟装置对X射线光子能量、剂量率、辐射面积以及剂量均匀性的要求,合理选择多路并联二极管的路数和环的内外径;同时,辐照实验中,应根据模拟装置的特点和对辐射场参数的要求,合理选择实验区域。
[1] 刘锡三. 强流粒子束及其应用[M]. 北京: 国防工业出版社, 2007.
LIUXisan. Intense particle beams and it applications[M]. Beijing: National Defense Industry Press, 2007.
[2] 林鹏, 王肖钧. 强脉冲X射线辐射热力学效应的数值模拟[J]. 中国科学技术大学学报, 2007, 37(7): 732-737.
LIN Peng, WANG Xiaojun. Numerical simulation of thermal-mechanical effects by intense pulsed X-ray irradiation[J]. Journal of University of Science and Technology of China, 2007, 37(7): 732-737.
[3] 郭红霞, 陈雨生, 张义门, 等. 稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究[J]. 物理学报, 2001, 50(12): 2279-2283.
GUO Hongxia, CHEN Yusheng, ZHANG Yimen, et al. Study of relative dose-enhancement effects on cmos device irradiated by steady-state and transient pulsed x-rays[J]. Acta Physica Sinica, 2001, 50(12): 2279-2283.
[4] 程引会, 周辉, 李宝忠, 等. 光电子发射引起的柱腔内系统电磁脉冲的模拟[J]. 强激光与粒子束, 2004, 16(8): 1029-1032.
[5] 张含天, 周前红, 周海京, 等. 二次电子发射对系统电磁脉冲的影响[J]. 物理学报, 2021, 70(16): 195-203.
ZHANG Hantian, ZHOU Qianhong, ZHOU Haijing, et al. Effect of secondary electrons on SGEMP response[J]. Acta Physica Sinica, 2021, 70(16): 195-203.
[6] Zhou Y F, Cheng Y H, Zhu Z Z, et al. Simulation study of air Effects on SGEMP based on Swarm Model[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2022, 69(1): 26-34.
[7] 邱爱慈. 脉冲X射线模拟源技术的发展[J]. 中国工程科学, 2000, 2(9): 24-28.
QIU Aici. The development of technology for pulsed X-ray simulators[J]. Engineering Science, 2000, 2(9): 24-28.
[8] 蒯斌, 邱爱慈, 王亮平, 等. 强脉冲超硬X射线产生技术研究[J]. 强激光与粒子束, 2005, 17(11): 1739-1743.
KUAI Bin, QIU Aici, WANG Liangping, et al. Generation of intense pulsed super-hard X-ray[J]. High Power Laser & Particle Beams, 2005, 17(11): 1739-1743.
[9] 钦佩, 唐斌, 傅玉川, 等. 低能电子轫致辐射的蒙特卡罗模拟[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 2009, 27(6): 337-340.
QIN Pei, TANG Bin, FU Yuchuan, et al. Monte Carlo simulation on the bremsstrahlung of low energy electrons[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 2009, 27(6): 337-340.
[10] 钟甜城, 陈林, 郭帆, 等. 耦合同轴磁绝缘传输线的低阻抗大面积轫致辐射二极管设计[J]. 强激光与粒子束, 2017, 29(6): 30-35.
ZHONG Tiancheng, CHEN Lin, GUO Fan, et al. Initial design of a low-impendence large-area-bremsstrahlung diode coupled with coaxial MITL[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2017, 29(6): 30-35.
[11] 李进玺, 吴伟, 来定国, 等. 电子束与复合靶作用后辐射特性的数值模拟[J]. 原子能科学技术, 2014, 48(3): 506-511.
LI Jinxi, WU Wei, LAI Dingguo, et al. Numerical simulation on radiation characteristic of composite target[J]. Atomic Energy Science and Technology, 2014, 48(3): 506-511.
[12] 李进玺, 邱孟通, 程引会, 等. 四路并联二极管辐射X射线场参数计算[J]. 原子能科学技术, 2015, 49(8): 1460-1466.
LI Jinxi, QIU Mengtong, CHENG Yinhui, et al. Calculation of X-ray field parameters generated by four parallel diodes[J]. Atomic Energy Science and Technology, 2015, 49(8): 1460-1466.
[13] 邱爱慈, 李玉虎, 王知广, 等. 强流脉冲相对论电子束加速器: 闪光二号[J]. 强激光与粒子束, 1991, 3(3): 340-348.
QIU Aici, LI Yuhu, WANG Zhiguang, et al. Flash ⅡI- a relativistic electron beam accelerator[J]. High Power Laser and Particle Beams, 1991, 3(3): 340-348.
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李进玺, 吴伟, 刘逸飞, 赵墨, 聂鑫. 多路并联二极管辐射场剂量均匀性研究[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 2023, 41(5): 050703. Jinxi LI, Wei WU, Yifei LIU, Mo ZHAO, Xin NIE. Study on the dose uniformity of multi-channel parallel diode[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 2023, 41(5): 050703.