光子学报, 2003, 32 (2): 249, 网络出版: 2007-09-18
MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究
Heavy Carbon Doping of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
摘要
利用低压金属有机化合物汽相淀积(LP-MOCVD)系统,通过调节生长参量和掺杂工艺,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从8×1017到4×1021可控的掺碳GaAs外延层,最后给出一应用实例-用重掺碳的GaAs 材料做级联GaInP/GaAs/Ge 太阳能电池的隧道结.
Abstract
李宝霞, 汪韬, 李晓婷, 赛小锋, 高鸿楷. MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究[J]. 光子学报, 2003, 32(2): 249. 李宝霞, 汪韬, 李晓婷, 赛小锋, 高鸿楷. Heavy Carbon Doping of GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2003, 32(2): 249.
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