1 广东先导院科技有限公司，广东 广州 510535
2 度亘核芯光电技术（苏州）有限公司，江苏 苏州 215124
976 nm高功率半导体激光芯片是光纤激光器的核心部件，具有极为重要的产业价值。报道了课题组在高效率高功率半导体激光芯片的设计、制作与测试方面的研究成果。为了最大限度地提高器件的功率转换效率，同时满足苛刻的寿命要求，在设计上采用双非对称大光腔波导结构，同时对量子阱结构、波导结构、掺杂以及器件结构进行了优化；在外延生长方面，系统地优化了生长工艺参数，确保了外延材料具有极高的内量子效率及低内损耗。大量测试表明：所制作的器件（腔长为5 mm、发光条宽为200 μm的芯片）在室温、连续波（CW）测试条件下，阈值电流约为1 A，斜率效率为1.14 W/A；当电流为9 A时，最高功率转换效率高达72.4%；当电流为30 A时，输出功率达到29.4 W，功率转换效率为61.3%；对应于95%光场能量的水平远场发散角低至8.7°。上述参数性能已经达到了国际同类产品的先进水平。
激光器 半导体激光芯片 高功率转换效率 高功率 低水平远场发散角 976 nm
1 中国计量大学 信息工程学院, 浙江 杭州 310018
2 浙江春晖磁电科技有限公司, 浙江 绍兴 312300
3 浙江省嘉兴佳利电子有限公司, 浙江 嘉兴 314011
基于宽边耦合带状线结构, 该文设计了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的高隔离低插损3 dB 90°电桥。该电桥使用螺旋耦合线有效地减小了器件尺寸, 同时以对称式结构建模更便于后期的优化调整。在宽边螺旋耦合带状线垂直方向引入一个伸入式可调隔离电容, 极大地提高了该电桥的隔离度, 使其可达27 dB, 且插入损耗≤0.2 dB, 较之传统的定向耦合器结构, 其在提升性能的同时大幅减小了器件尺寸。对耦合线直角拐弯处的电场强度进行分析与优化, 采用45°斜切的方式使拐角处的电场强度与直线处大致相等。对上接地金属板进行环形镂空处理, 这将改善带内的幅度平衡度。该文设计的3 dB 90°电桥通带为0.96~1.53 GHz, 插入损耗≤0.2 dB, 幅度平衡度≤±0.7 dB, 相位平衡度为90°±1°, 隔离度≥27 dB, 其具有良好的应用市场。
低温共烧陶瓷 3 dB 90°电桥 螺旋耦合线 隔离电容 幅度平衡度 low temperature co-fired ceramics(LTCC) 3 dB 90°bridge spiral coupling line isolation capacitor amplitude balance
度亘激光技术（苏州）有限公司，江苏 苏州 215000
报道了应用于掺铒光纤放大器（EDFA）的高功率单模980 nm半导体激光芯片和泵浦模块。所研制的单基横模980 nm激光芯片的kink-free输出功率可达1650 mW，最高热反转功率可达2.4 W。利用此芯片研制了14 pin蝶形封装模块，采用光纤光栅进行波长锁定，实现了单模输出功率超过1300 mW以及从阈值到1300 mW的大动态范围的波长锁定，边模抑制比（SMSR）大于30 dB，峰值波长为974.5 nm±0.5 nm，光谱半峰全宽（FWHM）小于0.5 nm，带内功率占比（PIB）大于95%。
激光器 单模 光纤光栅 泵浦
