1 北京玻璃研究院有限公司, 北京 101111
2 北京一轻研究院有限公司, 北京 101111
3 中国科学院高能物理研究所, 北京 100043
本文采用改进的坩埚下降法生长了76 mm×76 mm的以氯化铈(CeCl3)为掺质的溴化镧(LaBr3)晶体。该晶体经切割、研磨加工、封装制成超薄铍(Be)金属LaBr3晶体防潮封装件, 封装件的晶体尺寸为76 mm×15 mm, 入射窗选用200 μm厚的Be金属片, 当入射能量为5.9 keV时能量分辨率为55%。对封装件依次开展力学(1 000 g冲击、14.12 g随机振动)、热真空(-40~+50 ℃、≤1.3×10-3 Pa)、辐照(160 krad剂量60Co辐照)试验, 并对试验前后封装件进行闪烁性能表征。结果表明, 试验前后晶体外观无肉眼可见变化, 662 keV的能量分辨率由5.30%变至4.89%, 光输出损失0.2%。
溴化镧晶体 铍金属 坩埚下降法 闪烁晶体 辐射探测 封装 LaBr3 crystal beryllium metal Bridgman method scintillation crystal radiation detection encapsulation
1 上海理工大学 能源与动力工程学院, 上海 200093
2 复旦大学 物理系 表面物理国家重点实验室, 上海 200433
采用真空热蒸发(VTE)的方法制备了CdS多晶薄膜, 研究了不同衬底温度对其微观结构与光电性能的影响。结果显示, 不同衬底温度下制备的CdS薄膜均属于六方相多晶结构且具有(002)择优取向; 随着衬底温度的升高, (002)特征衍射峰强度增加, 半高宽变小, 相应薄膜结晶度增大; 由CdS薄膜的透射光谱可知, 在500~1000nm波段平均透过率均超过80%, 光学带隙随着衬底温度的升高而增大(2.44~2.56eV), 表明真空热蒸发方法制备的CdS薄膜可以作为CIGS薄膜太阳电池的缓冲层。将真空热蒸发法制备CdS薄膜与磁控溅射法制备CIGS薄膜太阳电池相结合, 在同一真空室内得到了CIGS薄膜太阳电池器件, 为CIGS薄膜太阳电池的工业化推广提供了新途径。
CdS薄膜 真空热蒸发 CIGS薄膜太阳电池 化学水浴 磁控溅射 CdS films vacuum thermal evaporation CIGS thin film solar cell chemical bath deposition magnetron sputtering
