范丽娜 1,2,3,4吴倩楠 2,3,4,5张世义 1,2,3,4侯文 1,3,4李孟委 2,3,6,7
1 中北大学 信息与通信工程学院, 太原 030051
2 中北大学 南通智能光机电研究院, 江苏 南通 226000
3 中北大学 前沿交叉科学研究院, 太原 030051
4 中北大学 微系统集成研究中心, 太原 030051
5 中北大学 理学院, 太原 030051
6 4. 中北大学 微系统集成研究中心, 太原 030051
7 中北大学 仪器与电子学院, 太原 030051
针对射频MEMS滤波器的带外抑制能力较差和带内群延时不平坦的问题, 设计了一种窄带宽、低插损、高选择性的L波段射频MEMS线性相位滤波器。选取高介电常数的衬底材料实现窄带传输, 采用双层交指结构的谐振器实现线性相位, 减小了电路体积。利用HFSS软件对滤波器的性能进行优化。结果表明, 该滤波器的中心频率为1.46 GHz, 带内插入损耗＜1.97 dB, 带内群延时波动＜2 ns, 在中心频率左右1 GHz处的带外抑制＞70 dB。整体电路尺寸为10 mm×7.2 mm×0.62 mm。
滤波器 群延时 带外抑制 filter MEMS MEMS group delay out of band suppression 朱光州 1,2,3,4张世义 1,2,3,4王俊强 1,2,3,4吴倩楠 1,3,4,5[ ... ]王志斌 1,2,3,4
1 中北大学 南通智能光机电研究院, 江苏 南通 226000
2 中北大学 仪器与电子学院, 太原 030051
3 中北大学 微系统集成研究中心, 太原 030051
4 中北大学 前沿交叉科学研究院, 太原 030051
5 中北大学 理学院, 太原 030051
针对传统衰减器体积大、反应时间长、可靠性差等问题, 提出了一种基于氮化钽薄膜电阻的MEMS衰减器。根据π型衰减网路理论计算得到各个电阻的阻值, 并计算各个电阻的仿真尺寸。利用HFSS 15.0电磁波仿真软件对衰减器结构进行仿真计算并优化。通过修改磁控溅射参数制备稳定的氮化钽薄膜电阻, 在此基础上制作MEMS衰减器。采用矢量网络分析仪和探针台进行衰减器射频性能测试。测试结果表明, 在0.1~20 GHz频率范围内, 衰减器的回波损耗大于12.4 dB, 插入损耗小于2.1 dB, 衰减精度小于5 dB。衰减器整体尺寸为2.2 mm×1.2 mm×1 mm。
氮化钽薄膜 电阻衰减网络 衰减器 TaN film resistance attenuation network attenuator MEMS MEMS
