提出了一种在超表面中嵌入二氧化钒（VO₂）从而对太赫兹波进行动态调控的方法。VO₂在68 ℃左右会发生绝缘体到金属的相变，导致其电导率发生4~5个数量级的显著变化。超表面由一个双开口金属谐振环阵列以及金属环开口处嵌入的VO₂结构组成。仿真结果表明，通过改变VO₂的电导率，太赫兹波可以实现高频与低频之间的谐振模式的切换。值得注意的是，这种模式转换不仅可以在实验中通过直接改变环境温度实现，还可以通过激光和强场太赫兹的泵浦完成。这种多样化的激励为该超表面在实际多场景应用中动态调控太赫兹波提供了参考。

太赫兹人工电磁超材料一直存在损耗大、性能不佳和不可灵活调控等问题。超导材料的损耗极低,是太赫兹波段高性能功能器件的优选材料之一。介绍了太赫兹超导人工电磁超材料的发展,并详细总结了其低损耗的特性以及灵活调控的方法。结合太赫兹波段高性能功能器件的应用需求,分析了太赫兹功能器件的发展趋势、存在的问题以及所面临的关键科学问题。

利用太赫兹时域光谱技术(THz-TDS)技术, 对L-, D-, DL-α-丙氨酸晶体粉末进行了太赫兹光谱的室温测量。 在0.3～3.0 THz范围内, 观察到数个吸收峰, 发现其两种旋光体(L-, D-丙氨酸)与其外消旋化合物(DL-丙氨酸)在吸收峰上有较大差异。 同时, 运用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算, 对丙氨酸的3种样品进行了振动光谱的理论模拟, 得到了与实验数据较为吻合的结果, 指出THz波段的吸收光谱是来源于通过氢键作用产生的分子集体振动。

太赫兹（THz）时域光谱（TDS）技术， 能同时测量幅值和相位信息， 因而能检测到物质丰富的物理化学性质， 已逐渐成为科学界一大热点。 磷化铟(InP)因其载流子寿命短、 质量小等优良性能， 正逐渐成为产生和检测THz波辐射的首选光电导材料之一。 文章利用THz-TDS测试技术， 在室温氮气环境中， 对n型0.35 Ω·cm的InP材料在0.2～4 THz波段的特性进行了研究。 文章根据物理传输模型， 利用更准确的迭代方式， 选用新的初始值， 更快更准确的得到了复折射率， 介电常数， 电导率等THz光学常数， 并且用Drude模型进行了理论上的模拟计算， 所得结果与实验吻合很好， 最后还得到了载流子的寿命、 迁移率和浓度等THz重要参数。