方桐 1,3刘力源 1,3,*刘朝阳 1,3冯鹏 1,3[ ... ]吴南健 1,3
作者单位
摘要
1 State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing00083, China
2 Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing100083, China
3 Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing100049, China
基于Dyakonov和Shur等离子体波振荡原理设计并流片制备了一种采用65 nm 标准CMOS工艺的3.0 THz探测器,探测器包括贴片天线、NMOS场效应晶体管、匹配网络及陷波滤波器。探测器在室温条件下可达到526 V/W的响应率(Rv)和73 pW/Hz1/2的噪声等效功率(NEP)。采用该探测器和步进电机搭建了太赫兹扫描成像系统,获得了太赫兹源出射光斑的远场形状,光斑的半高宽(FWHM)为240 μm;并对聚甲醛牙签和树叶进行了扫描成像实验,结果表明CMOS太赫兹探测器在成像领域有潜在的应用前景。
太赫兹 太赫兹成像 太赫兹探测器 CMOS CMOS THz terahertz imaging terahertz detector 
红外与毫米波学报
2020, 39(1): 56

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