研究了烧结温度对海藻酸钠离子凝胶法制备3-1型多孔PZT压电陶瓷和凝胶注模法制备3-3型多孔PZT压电陶瓷性能的影响。结果表明: 当烧结温度从1 150 ℃升至1 250 ℃, 多孔PZT陶瓷的孔隙率降低, 晶粒尺寸、介电常数、压电系数、厚度机电耦合系数和抗压强度增大, 静水压压电系数与静水压品质因数随之降低。3-1型PZT陶瓷具有定向直通孔结构, 且在成型过程中引入Ca2+。因此, 在相同的烧结温度下, 3-1型PZT陶瓷的介电常数和抗压强度高于3-3型PZT陶瓷, 可靠性和稳定性更强, 压电系数和静水压品质因数则低于3-3型PZT陶瓷, 灵敏度下降。3-1型PZT陶瓷的静水压品质因数最高可达到4 755×10-15 Pa-1, 适用于高灵敏度压电水听器。

本文利用简单、高效的浆料直接发泡法制备气孔率高达96%的Al2O3/Si泡沫陶瓷，并选用简便、易行的焦炭埋烧工艺在Al2O3/Si泡沫陶瓷坯体中生长出大量SiC纳米线。通过控制烧结温度来观察分析SiC纳米线的生长形貌变化。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪、BET比表面积测试仪、电子万能试验机等对泡沫陶瓷的微观结构、物相组成、比表面积、气孔率、抗压强度、热导率进行分析与表征。结果表明，1 450 ℃烧结时得到的SiC纳米线最多，纳米线在泡沫陶瓷孔壁交织缠绕。同时观察到SiC纳米线的存在改变了氧化铝泡沫陶瓷固有的脆性断裂模式，SiC纳米线可有效促进泡沫陶瓷在压缩过程中的裂纹偏转。本实验制备了一种新型的纳米线缠绕在孔壁上的三维网络结构的泡沫陶瓷，为在泡沫陶瓷内部原位生长SiC纳米线提供了新的方法，更好地拓展了泡沫陶瓷在环境过滤、催化剂载体等领域中的应用。

为了减少屈光度测量误差，提高精度。本文针对哈特曼法焦度测量建立了较详细的误差模型，着重分析了光源的色散误差、入射光与透镜未垂直、光电探测器中心定位不准、透镜倾斜、光源光线主轴与透镜主轴未重合所引起的屈光度测量误差。结果表明，得出由于光电探测器上中心提取的不准确，会对最终的结果产生较大的误差。并由此提出了双重双线性插值结合拟合法来求取中心的方法，并证明了其有效性和准确性。

在反相微乳液体系中, 以抗坏血酸作为碳源制备具有高强度荧光的碳量子点。实验中通过调整水和表面活性剂的量比实现对碳量子点尺寸大小的控制, 利用十六烷基胺修饰碳量子点。当激发波长为360 nm时, 碳量子点的量子产率最高为47%。当水和表面活性剂的量比从20增加到50时, 碳量子点的尺寸也随之而增大。

基于铜离子与碳点的荧光猝灭作用, 建立了用碳点作为荧光探针来检测铜离子的新方法。该方法将碳点还原后再嫁接于海藻酸钙, 从而得到一种新型的含还原碳点的海藻酸钙薄膜荧光探针。用荧光分光光度计和紫外-可见分光光度计对探针的荧光特性以及探针与金属离子的相互作用进行了研究。研究结果表明: 改性后的荧光探针具有很高的荧光强度, 因此可以根据探针荧光强度的变化实现对铜离子的检测, 并通过乙二胺四乙酸二钠(EDTA)的作用实现对铜离子的重复检测。铜离子浓度在5×10-6～100×10-6 mol·L-1范围内与该荧光探针的荧光猝灭强度呈良好的线性关系。该方法不仅可以对铜离子检测, 更实现了对碳点的固载, 该技术有望实现荧光探针的回收再利用。

利用低温超高真空扫描隧道显微镜对单个钴酞菁分子实现了选键化学反应.通过对吸附于Au(111)表面的单个钴酞菁分子外围H原子的"剪裁",并用实验图像和谱学方法,结合第一性原理理论计算研究了逐步去除钴酞菁分子8个外围H原子的过程.理论计算结果再现了实验中所观测到的分子空间构型的变化,并阐明了吸附体系中局域自旋的恢复和变化过程.