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半导体桥等离子体温度的原子发射光谱法测量

张文超 ^*周彬王文秦志春 [ ... ]田桂蓉

作者单位

摘要

南京理工大学化工学院,南京,210094

半导体桥生成的等离子体由于温度高、尺度小、持续时间短等特点,对其温度的瞬态测量是个难题.本文采用高速数字存贮示波器应用原子发射光谱双谱线法对半导体桥等离子体温度进行了实时瞬态测量,并对在22μF电容下不同充电电压对半导体桥等离子体温度的影响进行了系统的研究,得到了22μF电容下等离子体最高温度与充电电压的关系式Tmax=700.6+115.2U.

半导体桥等离子体温度测量原子发射光谱

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原子与分子物理学报

2008, 25(2): 313