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RESEARCH PAPER
脉冲电场下ZnO压敏陶瓷动态击穿过程研究
祝志祥
1
张强
1
朱思宇
2
卢成嘉
3
[ ... ]
朱承治
5
作者单位
摘要
1
全球能源互联网研究院有限公司 电工新材料研究所, 先进输电技术国家重点实验室, 北京 102211
2
西南科技大学 材料科学与工程学院, 绵阳 621000
3
中国工程物理研究院 流体物理研究所, 冲击波物理与爆轰物理重点实验室, 绵阳 621900
4
清华大学 材料科学与工程学院, 北京 100084
5
国网浙江省电力有限公司, 杭州 310007
陶瓷电击穿问题涉及热、光、电多场耦合效应, 一直是非平衡物理学研究的重点和热点。本工作在不同烧结温度下制备了晶粒尺寸大小不同的氧化锌陶瓷, 采用脉冲高压发生装置对陶瓷进行击穿实验, 通过对陶瓷击穿过程的分析和对比, 研究了ZnO陶瓷体击穿的时间步骤。结果显示, 不同晶粒大小的陶瓷击穿过程均在7 μs之内, 典型的压降曲线分为三个阶段。第一个阶段对应于材料中的气孔击穿和击穿通道初步形成; 第二阶段对应于晶界击穿; 第三个阶段是导电通道的完全形成。研究数据显示, 晶粒击穿过程的持续时间最长, 晶界次之, 气孔的击穿时间最短。不同烧结温度下, 样品晶界和晶粒的击穿时间以及气孔的击穿速度均存在差异。
ZnO陶瓷
多晶材料
击穿过程
脉冲电压
ZnO ceramics
polycrystalline materials
breakdown process
pulse voltage
PDF全文
Full Text
无机材料学报
2019, 34(7): 715
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