1 电子科技大学 材料与能源学院，四川 成都 610054
2 中国电子科技集团公司第二十六研究所，重庆 400060
该文研制了一种晶圆级封装(WLP)的C波段薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计，并使用HFSS对电磁封装模型进行优化，再在ADS中对滤波器进行仿真优化设计，得到阶梯型结构的FBAR滤波器。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器芯片，同时利用覆膜工艺对FBAR裸芯片进行覆膜和电镀等WLP工艺，得到WLP的FBAR器件。测试结果表明，滤波器的中心频率为6, 09 GHz，中心插损为2, 92 dB，通带插损为3, 4 dB，带宽为112 MHz，带外抑制大于40 dB。
薄膜体声波谐振器(FBAR) Mason模型 晶圆极封装(WLP) 覆膜 插入损耗 film bulk acoustic resonator(FBAR) Mason model wafer level package(WLP) tape insertion loss
