考虑利用白光干涉仪进行表面三维形貌测量时压电陶瓷(PZT)的蠕变效应对微位移驱动器位移精度的影响，提出了一种沿参考镜光轴方向提高该驱动器位移精度的方法。系统研究了该驱动器的位移检测回路、PID闭环控制以及蠕变补偿控制；利用光电位置传感器和光学杠杆调节位移检测回路，将压电陶瓷驱动器微位移反馈至控制系统，建立PID闭环控制。充分考虑了PZT蠕变特性对测量过程的影响，建立了"电压蠕变"补偿模型，实现了基于PID闭环控制与蠕变补偿控制相结合的复合控制方法。利用XL-80激光干涉仪测量压电陶瓷驱动器在PID闭环控制和复合控制二种情况下的微位移，实验结果显示前者位移误差为0.007 μm，后者位移误差为0.005 μm。结果表明该方法可有效克服压电陶瓷迟滞非线性和蠕变对测量结果的影响，满足表面三维形貌测量的高精度要求。

采用“摸扳法”以对甲基苯酚、4-硝基邻苯二晴为原材料,以N,N二甲基甲酰胺为溶剂,在N₂保护和碳酸钾的催化作用下,合成了酞菁分子碎片,通过质谱分析确定了相对分子质量为243(理论值为243.34),验证了工艺过程的正确性。以共溶技术将分子碎片与氯化钯在正戊醇、DBU作用下合成墨绿色四取代对甲苯氧基PdPc,通过红外吸收光谱分析验证了其吸收峰的测量值与理论值基本吻合,确定了合成反应终产物,进而以一定比例将PdPc、H₂PtCl₆共溶在甲醇溶液中,在30～50℃下48 h杂化合成为有机半导体气敏材料。依据欧姆定律,并以激光微加工、半导体技术设计、制作了多孔电极平板结构,增大电极面积,降低了电极间距,比常用叉指电极结构的电阻降低了10³倍以上,使其电导率接近无机半导体数量级,利于后续电路信号采集。通过电镜观察了多孔电极的微观SEM形貌,确定其为连续、多孔的表面态,气孔在φ0.1～φ2μm,既保证了导电,又有透气的特征。以真空镀膜技术将气敏材料形成气敏膜,电镜观察其气敏膜的微观SEM形貌,基本层膜厚2μm,并有φ0.1～φ5μm微球结晶体嵌入,分布匀一,呈现继续互融生长趋势。以静态法测量其气敏多特性,结果表明传感器对NO₂呈N型半导体,0.010%气体浓度下灵敏度为7.45倍;对NO呈P型半导体,0.010%气体浓度下灵敏度为0.25倍;响应时间为90s。对气体不同的变化规律说明其的气敏机理与气体性能有关。