提出了一种低压低功耗有源电感(LVLPAI)。它由新型正跨导器、负跨导器以及电平转换模块构成。其中, 电平转换模块与新型正跨导器的输入端和负跨导器的输出端连接, 同时, 新型正跨导器采用了PMOS晶体管, 并将栅极和衬底短接, 最终使得有源电感可在低压下工作, 且在不同频率下具有低的功耗。基于018 μm RF CMOS工艺进行性能验证, 并与传统AI进行对比。结果表明, LVLPAI和传统AI比较, 在15 GHz、27 GHz、44 GHz这三个频率处分别取得三个电感值3 326 nH、1 403 nH、782 nH的条件下, 前者和后者的工作电压分别为08 V、1 V、12 V和15 V、16 V和17 V, 分别下降了467%、375%、294%; 功耗分别为008 mW、025 mW、053 mW和014 mW、031 mW、062 mW, 分别下降了429%、194%、145%。

提出了一种性能多种重构的高频压控有源电感(HFVCAI)。电路主要由第一回转回路、第二回转回路以及调控支路构成, 且第一回转回路和第二回转回路并联, 调控支路与第一回转回路连接, 两个回转回路均配置了外部调控端。通过协同调节3个外部调控端, 可对HFVCAI的性能进行3种重构: 在高频工作区能够对电感值进行大范围调控, 且同时能保持Q值有较大值; 在不同频率下能够同时保持Q峰值和电感值基本不变; 能够实现在对工作频带大范围调控时, 电感值峰值保持基本不变。结果表明, 在5.10~6.60 GHz高频区, 电感值的调控范围大于27 nH, 且Q值可保持大于10; 在4.72 GHz、5.10 GHz和5.46 GHz高频下, 分别取得了1 063、1 053和 1 033 的Q峰值, 变化率仅为2.8%, 且电感值分别为202 nH、198 nH和191 nH, 变化率仅为 5.4 %; 工作频带能在6.02 ~ 7.67 GHz之间调控, 变化率高达27.4 %, 而电感值峰值在404 ~ 395 nH之间变化, 变化率仅为2.2%。

提出了一种采用LC并联谐振电路的新型差分有源电感，实现了宽的工作频带、高的Q值、较大的电感值和可调谐功能。采用无源电感和MOS晶体管可变电容构成LC谐振电路，减小了等效串联电阻和等效并联电容，在增大电感值、Q值的同时，扩大了工作频带。仿真结果表明，在2~7.6 GHz频率范围内，该新型差分有源电感的电感值大于26 nH，Q值大于138；在7.6 GHz高频下，电感值达130 nH，Q值达418，实现了宽工作频带范围内的高Q值和高电感值。与传统差分有源电感和带LC谐振电路的单端有源电感相比，该新型差分有源电感的性能较好。