本文对一种LTPS-TFT AMOLED电压型阈值电压(Vth)补偿像素电路进行了理论研究, 分析了影响Vth补偿效果的主要因素。电路的补偿效果主要由驱动TFT Vth的获取精度和随后的保持精度决定。在Vth获取过程中, 相关误差主要由驱动TFT转移特性电流对存储电容充电的充电率不足产生; 在显示信号与Vth叠加过程中, 与Vth保持节点连接的电容增量等因素会造成Vth保持精度的损失。根据分析的结果, 本文解释了高分辨率像素电路补偿效果下降的原因。

以PEDOT∶PSS作为空穴注入层, 聚合物PVK作为空穴传输层, 制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/PVK/8-羟基喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED, 研究了PVK与PEDOT∶PSS功能层对器件I-V特性和EL光谱的影响。结果显示, 在EL光谱中的905, 1 064, 1 340 nm处均观察到了荧光发射, 分别对应于Nd3+的4F3/2→4I9/2、 4F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2能级跃迁。与参考器件对比分析认为, PEDOT∶PSS高的导电性降低了器件的串联电阻, 增大了器件的工作电流; PVK与PEDOT∶PSS共同降低了空穴的注入势垒, 实现了Ndq3发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度。此外, PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度, 也是器件性能提高的原因之一。

采用化学溶液法在氧化铟锡(ITO)衬底上合成ZnO纳米棒，以不同的速度将无定形SiO2材料旋涂于ZnO纳米棒，制备了结构为ITO/ZnO/ZnO纳米棒/SiO2/Al全无机电致发光器件。借助能谱(EDS)和吸收光谱，发现当转速从3000 r/min降低到500 r/min时，SiO2的附着量逐渐增多。比较了旋涂速度对器件的电致发光光谱的影响，发现对于同一旋涂速度形成的器件，紫外发光强度随电压的增大而增强，可见区的发射则逐渐减弱；而不同旋涂速度下获得的器件的紫外发光强度显示出随电压升高先增大后减小的趋势，当旋涂速度为1000 r/min时，紫外发射最强，可见区发光几乎消失；I-V曲线测量显示随着转速的降低，器件的启亮电压变大，最大工作电流逐渐变小。结合光致发光(PL)图谱和能级结构图分析认为，SiO2除了能钝化ZnO纳米棒表面缺陷，还具有改善载流子在发光层的平衡和增大电子注入能量的作用，其较高的势垒对发光层内的电子具有限制作用，提高了在活性层中的电子和空穴的复合率。此外，SiO2的加速作用也有助于提高高能态缺陷能级的电子密度及复合几率。