采用γ射线对SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+长余辉荧光材料进行辐照处理, 研究样品经辐照后的长余辉性能。用60Co~γ射线源照射固相合成的SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+长余辉荧光材料样品, 累积辐照剂量为100 kGy。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪、紫外可见分光光度计、荧光分光光度计及热释光(TL)光谱仪对辐照前后样品的晶体结构、光吸收特性、余辉及热释光特性进行了研究。结果表明：辐照后样品的晶胞体积减小, 氧空位的浓度增加; 由于辐照使样品中引入更多的缺陷, 其吸收光谱的强度提高。辐照后样品的余辉寿命延长, 余辉光谱强度增加; 热释光强度增加, 且光谱向高温方向偏移, 经计算得到辐照后样品中陷阱能级深度增加0.0039 eV, 表明辐照影响了样品中陷阱能级分布且增加了样品中的深能级陷阱数目。

采用计算机数值模拟的方法研究了芯片级封装(CSP) LED的散热特性, 并进行了实验验证。利用有限体积方法模拟计算了在直径为25 mm、厚度为1 mm的铝基板上采用芯片级封装方式封装LED模组的散热特性, 模拟计算表明芯片的结温与封装芯片功率和芯片间距密切相关, 要实现芯片工作温度低于120 ℃的技术要求, 芯片的间距和芯片功率都要考虑。封装芯片间距为3.5 mm时, 只有单颗功率为0.5 W的芯片可以满足封装要求。而随着封装芯片间距增大, 适用的芯片功率逐渐提高, 当封装芯片间距为7.25 mm时, 功率小于3 W的CSP芯片都适用于LED封装。输入功率一定时, 模组的热阻随着封装密度的增加而减小, 当封装密度为15.13%时, 模组热阻可以降至2.26 K/W。芯片级封装的LED模组热阻低, 是下一代LED封装发展方向。