铁电陶瓷材料在外场加载下的畴变所引起的材料结构变化, 是导致材料性能衰变和破坏的主要原因, Raman光谱技术是一种研究铁电材料畴变和微结构变化的无损伤性及原位微区的观测方法。 采用传统固相法合成Zr/Ti原子比为53/478的掺镧锆钛酸铅(PLZT)铁电陶瓷材料 , 采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜及Precision_LC铁电测试系统分别对试样进行结构形貌表征和铁电物理性能测试, 利用自制的应力加载装置与Raman光谱仪联用, 实现不同压应力场作用下试样的原位Raman谱测试, 考察和分析Raman谱软模E(2TO)和E(3TO+2LO)+B1的峰强和峰位随散射偏振方向的变化规律。 结果表明, 不同压应力场下Raman软模E(2TO)和E(3TO+2LO)+B1的峰强均随散射偏振角度呈现正弦式的变化规律, 在60°偏振角度上软模峰强最大, 在150°偏振角度上软模峰强最小。 随着压应力场的增加, 在0°和60°偏振角度获得的软模峰强随应力场的增加呈现明显的下降趋势, 而在90°和150°偏振角度获得的软模峰强基本不变。 压应力场变化对PLZT陶瓷的Raman软模E(2TO)和E(3TO+2LO)+B1的峰位均不产生影响。