王晓凤 1刘萌 1于宇 2,3王雨雷 2,3[ ... ]赵培德 1,3,*
作者单位
摘要
1 河北工业大学 理学院,天津 300401
2 河北工业大学 先进激光技术研究中心,天津 300401
3 河北省先进激光技术与装备重点实验室,天津 300401
文中基于量子阻抗洛伦兹振子(Quantum Impedance Lorentz Oscillator, QILO)模型,研究了含芴二茂铁衍生物的单、双、及三光子吸收特性。首先,理论推导并给出了用有效量子数、电子电量及质量和玻尔半径等微观量表示的该振子四、五阶非线性效应参量的计算参考公式。在此基础上,利用QILO模型,通过拟合取代基为R=NO2的含芴二茂铁衍生物分子线性吸收光谱,得到了其在400 nm峰值附近的电子跃迁前后的有效量子数,并进一步推算了该分子的双、三光子吸收截面。数值计算结果显示:该化合物分子在793 nm波长附近的双光子吸收截面为 $0.49\times {10}^{-20}\;{\mathrm{c}\mathrm{m}}^{4} \cdot {\mathrm{G}\mathrm{W}}^{-1}$,在1 260 nm和1 314 nm附近的三光子吸收截面分别为 $2.01 \times {10}^{-25}\;{\mathrm{c}\mathrm{m}}^{6}\cdot{\mathrm{G}\mathrm{W}}^{-2}$$1.00\times {10}^{-25}\;{\mathrm{c}\mathrm{m}}^{6} \cdot {\mathrm{G}\mathrm{W}}^{-2}$,与实验结果均吻合较好。文中结果说明:QILO模型可以较好地描述以NO2作为取代基的含芴二茂铁衍生物的单、双、及三光子的吸收特性。根据QILO模型的“依据介质的线性吸收光谱可以估算其多光子吸收截面”的特点,该模型或许能为寻找具有大的双、三光子吸收截面的材料提供一种可供参考的理论分析方法,降低研究多光子过程的综合实验成本。
非线性光学 Lorentz振子 量子阻抗 非线性效应参量 分子多光子吸收截面 nonlinear optics Lorentz oscillator quantum impedance nonlinear effect parameter molecular multiphoton absorption cross-section 
红外与激光工程
2023, 52(12): 20230410
白琦琪 1李凯 2,3王晓凤 1于宇 2,3[ ... ]夏元钦 2,3,***
作者单位
摘要
1 河北工业大学理学院,天津 300401
2 河北工业大学先进激光技术研究中心,天津 300401
3 河北省先进激光技术与装备重点实验室,天津 300401
量子阻抗Lorentz振子(QILO)是基于Bohr-Sommerfeld理论和量子力学选择定则对Lorentz振子量子化所新近建立的模型。根据该模型,分别对Li2SnTeO6、CsClO3和Na2Nb4O11 三种光学晶体二次谐波特性进行了分析与数值模拟,尝试提出了一种估算晶体二阶非线性光学系数的方法。首先,根据晶体线性吸收光谱的峰值频率和半峰全宽,利用QILO模型计算了晶体的原子跃迁前后的有效量子数,然后根据QILO的二阶非线性效应参数的计算公式推算了晶体二阶电极化率,由此得到上述三种晶体在波长532 nm的倍频系数分别为0.17 pm/V、0.69 pm/V和1.17 pm/V,且与第一性原理的数值吻合较好。结果表明,基于QILO模型的二阶电极化率,有助于分析和提高材料的和频、差频以及倍频的效率,且方法简单、计算耗时少、运算效率高。
非线性光学 Lorentz振子 量子阻抗 非线性光学晶体 二阶电极化率 倍频系数 
激光与光电子学进展
2023, 60(21): 2119001
作者单位
摘要
湖南城市学院 通信与电子工程学院, 益阳 413000
为了分析材料色散对法布里-珀罗干涉仪透射特性的影响,采用洛伦兹振子模型计算了法布里-珀罗干涉仪的透射谱,研究了色散强度、衰减系数和谐振频率对纵模间隔的影响.结果表明,高、低频段的纵模间隔随色散强度的增大而减小,随衰减系数的增大而增大;对于谐振频率附近的纵模,纵模间隔随着色散强度的增大先增大后减小;色散强度很小时,纵模间隔随衰减系数的增大而减小,随谐振频率的增大先增大后减小;当色散强度较大时,纵模间隔随衰减系数的增大先增大后减小,随谐振频率的增大而减小.这一结果对激光器的设计和研究有一定的帮助.
非线性光学 纵模间隔 洛伦兹振子模型 材料色散 nonlinear optics longitudinal mode interval Lorentz oscillator mode material dispersion 
激光技术
2015, 39(5): 637
蔡娟露 1,2,3,*程兴华 1,2,3钟玉杰 1,2,3何志刚 1,2,3[ ... ]石瑞英 1,2,3
作者单位
摘要
1 四川大学物理科学与技术学院微电子学系, 成都 610064
2 微电子技术四川省重点实验室, 成都 610064
3 中科院固体物理所
利用改进的遗传算法从GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振子模型参数, 发现GaAs掺入Mn后, ωTO向低频方向移动, ωLO基本保持不变, ε∞和εs均减小, γ有很大变化。并通过XRD以及近红外谱发现Mn的掺入会引入缺陷, 这种缺陷会影响晶格质量, 导致γ发生很大变化。
遗传算法 洛伦兹振子模型 缺陷 红外光谱 GaMnAs GaMnAs genetic algorithm lorentz oscillator model defect XRD XRD infrared spectroscopy 
光散射学报
2011, 23(3): 238

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