为了开发出高效稳定的单一基质白光发射荧光材料，本工作通过高温固相法成功合成了一系列La₄GeO₈∶Bi³⁺，Eu³⁺荧光粉样品，并通过X射线衍射、室温光谱、变温光谱等手段研究了实验样品的结构与发光性能。研究发现，Bi³⁺离子在该结构中占据两种不同的格位（Bi³⁺（Ⅰ）和Bi³⁺（Ⅱ）），且在紫外光激发下呈现两个峰值分别在475 nm和620 nm的宽带发射。对于Bi³⁺、Eu³⁺共掺样品，由于Bi³⁺（Ⅰ）与Eu³⁺之间的竞争吸收、Bi³⁺（Ⅰ）至Bi³⁺（Ⅱ）以及Bi³⁺（Ⅱ）至Eu³⁺的能量传递作用，可实现蓝色至红色、橙红色至红色的可调发光。特别地，样品La₄GeO₈∶0.07Bi³⁺，0.06Eu³⁺在313 nm光激发下可获得CIE值为（0.335，0.319）的优异白色发光。此外，该白光发射材料具有较佳的发光热稳定性，当温度升高至380 K时，发光积分强度仍然为室温的59%，表明其在白光二极管上具有潜在的应用价值。

荧光玻璃陶瓷结合了荧光粉优异的发光性能和玻璃基质良好的热导率及热稳定性的特点，已在高功率白光LED乃至激光照明领域引起了广泛的关注。本文采用一种选择性激光（CO₂激光器）烧结技术，制备了YAG∶Ce荧光玻璃陶瓷，并研究了其荧光发光性能以及构筑的白光LED的器件性能。与传统的重熔融或固相烧结方法不同，选择性激光烧结技术仅对局部加热且升/降温速率大，因此该方法具有节能和快速的特点。研究表明，选用适当的激光功率（24 W）、扫描速度（135 mm/s）和扫描间隔（9 μm）等参数，可制备出形貌较好的YAG∶Ce荧光玻璃陶瓷；经过630 ℃热处理1 h消除应力后，其呈现出Ce³⁺离子典型的4f→5d能级跃迁对应的宽带激发光谱（峰值为340 nm和455 nm）以及5d→4f能级跃迁对应的宽带发射光谱（峰值为570 nm），量子效率达82%；与450 nm蓝光LED芯片（3.11 V，0.30 A）组合后，可实现92 lm的白光输出，流明效率为98 lm/W，显色指数为69，色温为5 001 K，色坐标为（0.34，0.35）。以上结果表明，该方法在制备荧光玻璃陶瓷中具有重要的应用潜力。

钙钛矿量子点（PQDs）由于具有高量子效率、可调节带隙、高色纯度及低成本等优点，在光电领域具有良好的应用前景。然而，其较差的稳定性阻碍了钙钛矿量子点的应用。本文在室温条件下合成了CsPb_xSn_1-xBr₃/ a-ZrP PQDs，与传统CsPbBr₃ PQDs对比，具有更好的光学性能及稳定性。由于a-ZrP对于Pb²⁺选择吸附性的固有特性以及与Cs⁺离子交换的能力，促进了量子点在a-ZrP表面的吸附锚定。因此，合成的CsPb_xSn_1-xBr₃/a-ZrP PQDs具有更高的激子结合能和更强的环境稳定性。该复合材料为生产稳定高效的钙钛矿量子点提供了一种可行的方法，并表明CsPb_xSn_1-xBr₃/a-ZrP PQDs是一种高效的下转换荧光材料，可用于高效发光二极管的制备。

Dysprosium-doped orthorhombic yttrium aluminate (Dy:YAlO3 or Dy:YAP) single crystals were grown by the Czochralski method with a size of Φ43mm×150mm. Based on the measurements of spectra and theoretical analysis, the white-light emission was investigated with different doping concentrations. The optimal white emission was achieved at Dy3+ doping concentration of 1.0% under 450 nm excitation. Combining with residual pumping light, the white-light output was successfully obtained with Commission Internationale de l´Eclairage (CIE) coordinates x=0.3797, y=0.3685, the color temperature of 4000 K, and the largest fluorescence quantum yield of 46.9%. With the development of the GaN laser diode, the Dy:YAP single crystal has proven applicable in white-light-emitting diodes.

采用高温固相法制备一系列新型Sr_3-xGa₂Ge₄O₁₄∶xSm³⁺（x=0~0.20）及Sr_2.88Ga₂Ge₄O₁₄∶0.06Sm³⁺，0.06M（M=Li⁺，Na⁺，K⁺）荧光粉，通过物相形貌、荧光光谱、热稳定性及CIE色度坐标等分析手段对样品性能进行了详细研究。根据不同掺杂浓度Sr_3-xGa₂Ge₄O₁₄∶xSm³⁺的荧光发射谱，发现Sm³⁺最佳掺杂浓度为x=0.06，其荧光浓度猝灭归因于Sm³⁺之间的电偶极-电偶极相互作用。研究发现，通过共掺杂M（M=Li⁺，Na⁺，K⁺）做电荷补偿离子可以提升Sr_3-xGa₂Ge₄O₁₄∶xSm³⁺的发光性能。此外，随着Sm³⁺掺杂浓度提高，其荧光寿命不断减小。最后探讨了Sr_3-xGa₂Ge₄O₁₄∶xSm³⁺的CIE色度坐标和热稳定性，其CIE色度坐标位于橙红光区域，且在423 K的发光强度大概为其室温的95%。研究表明，Sr_3-xGa₂Ge₄O₁₄∶xSm³⁺作为新型橙红荧光粉有望应用于白光发光二极管（WLED）。