使用分子动力学方法计算了Mo、Si原子发生反射和再溅射的概率,以及原子的反射、再溅射角度和能量分布。考虑了四种碰撞:Mo原子与Mo基底碰撞、Mo原子与Si基底碰撞、Si原子与Si基底碰撞、Si原子与Mo基底碰撞。模拟发现,当沉积原子传递给基底的能量降低时,发生反射的概率增加,但是发生再溅射的概率降低。此外,入射角度对反射概率、再溅射概率的影响与沉积原子和基底原子的种类有关;然而,入射能量越高越容易发生反射、再溅射。最后,进行了磁控溅射实验,在具有不同倾斜角度的基底上制备了Mo/Si多层膜样片,实验结论验证了仿真结果。研究结果可以用于模拟磁控溅射镀膜过程,优化镀膜工艺。

光电阴极发射光电子的时间特性影响条纹相机和电子衍射系统等时间分析仪器的时间分辨率。 使用蒙特卡罗方法研究了光电子的能量、角度分布模型的随机抽样方法,对能量的余弦、Maxwell分布给 出了快速的乘抽样方法。计算了光电子的余弦、Maxwell、Beta、Rayleigh、Henke分布等7种能量模型的 时间弥散值。验证了时间弥散计算公式的弥散系数为2.643 kg1/2·A_1·s_1, 其与加速电场场强的指数关系为-0.996。该方法和结果在飞秒光电子传播动力 学、飞秒条纹相机、飞秒电子衍射仪等领域有广泛应用。

研究了等离子体反应装置内的等离子体密度、粒子能量与角度分布等参量在装置径向与轴向上的分布特性。在研究过程中应用二维混合模型对CF4气体放电进行模拟。计算结果显示：在电极表面与侧壁附近的鞘层区特性有明显的区别。由于装置侧壁处受电源产生的射频电场的影响较小，侧壁处的鞘层主要由双极扩散机制形成，其产生的径向电场强度较弱，鞘层厚度也较薄。而在电极附近，由于受到射频电场的影响，鞘层的厚度显著增加，指向电极方向的轴向电场强度也远大于指向侧壁方向的径向电场强度。在电极区域内，离子通量分布均匀；在电极边缘与侧壁的间隙内，因电场强度减小，离子通量则发生迅速衰减。在射频电极覆盖的范围内离子能量分布大体上保持不变，电极与侧壁的交界处，由于受到侧壁处径向电场的影响，离子能量分布略有不同。在放电装置的中心区域，入射到电极上的离子角度分布基本保持一致，而在电极边界与装置侧壁的交界处，由于径向电场的影响,离子的垂直入射角增加，以大角度轰击电极的离子数量也显著增加。

为提供探测器或样品辐照实验与靶物质选择所需的辐射环境基本物理参数，利用蒙特卡罗模拟软件FLUKA对BEPCⅡ-LINAC试验束E2线上的第二靶室混合辐射环境进行了模拟计算，得到了以靶心为圆心，半径为1 m的球面上的各次级粒子的微分通量、角度微分截面、磁谱仪方位角上的双微分能谱、靶室内的剂量率分布。

根据二次电子发射的主要物理过程，推导了内二次电子到达多晶表面并逸出的几率的角度分布、斜射入多晶的高能原电子产生的二次电子的角度分布和由背散射电子产生的二次电子的角度分布。同时，推导了高能原电子轰击多晶产生的二次电子的角度分布公式，该公式表明多晶的二次电子遵循余弦分布，且与原电子的入射角无关。分析结果表明: 在内二次电子最大逸出深度范围内，如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数是常数, 则多晶的二次电子的角度分布遵循余弦分布;如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子数越来越少，则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更慢；如果由射入多晶的原电子和背散射电子产生的内二次电子越来越多，则多晶的二次电子发射角度分布随出射角减少得比出射角的余弦值更快。

报道了利用重复频率为30 Hz，波长为532 nm的Nd：YAG倍频激光单次通过抽运硝酸钡(Ba(NO₃)₂)晶体(晶体由水溶液降温法生长，长度为48 mm，横截面为10 mm×10 mm)，获得高效率的一阶(563 nm)，二阶(599nm)和三阶(639 nm)斯托克斯光的实验结果．硝酸钡晶体沿着[110]晶轴方向切割．观测到一、二、三阶斯托克斯光呈锥形环分布，一、二、三阶斯托克斯光的散射外边缘与抽运光轴线间的夹角大小分别为1．7°，3．5°，5．0°．同时也观测到Ba(NO₃)₂的SRS角度分布与抽运光强度无关．定性分析认定，Ba(NO₃)₂的SRS角度分布主要是由相位匹配过程决定的．测得抽运光、一、二、三阶斯托克斯光的脉宽分别为11．6 ns，9．8 ns，8．4 ns和4．5 ns．当抽运光功率密度约为150W／cm²时，获得一、二、三阶斯托克斯光的最大光光转换效率，分别为33．5%，8．8%和3．4%．此外，由于晶体中的热沉积效应，观察到了Ba(NO₃)₂晶体的SRS转换效率饱和现象．