作者单位
摘要
1 中国原子能科学研究院国防科技工业抗辐照应用技术创新中心北京 102413
2 北京微电子技术研究所北京 100076
基于中国原子能科学研究院钴源建立的器件总剂量辐照装置试验平台,开展了静态随机存储器(SRAM)的总剂量效应研究。分别研究了器件特征工艺尺寸、累积辐照剂量、辐照剂量率以及温度对器件总剂量效应的影响。研究结果表明:在一定范围内剂量率对器件的总剂量效应影响不大,器件特征工艺尺寸越大总剂量效应的影响越大,温度越高总剂量效应影响越弱。此外还测量得到了该总剂量辐照实验平台的典型剂量率分布及均匀性。相关结果为宇航、核工业用电子器件抗辐射加固设计提供了一定的参考。
静态随机存储器 总剂量效应 功耗电流 特征尺寸 Static random access memory Total dose effect Power supply current Feature size 
辐射研究与辐射工艺学报
2023, 41(6): 060703
王威 1,2,*曹越 1,2喻忠军 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学院 空天信息创新研究院,北京 100094
2 中国科学院大学,北京 100049
针对合成孔径雷达(SAR)成像回波数据量巨大和存储器资源利用率偏低的问题,提出一种双倍数据速率动态随机存储器(DDR)的存储装置,并设计一种原位转置的存储方法。该方法首先比较雷达回波数据距离向和方位向的长度,通过预留出距离向和方位向中较长数据的单行或者单列所占用的存储空间来提高存储器读地址和写地址逻辑映射的灵活性,有效地实现了大数据量的片内转置操作,提高了双倍数据速率动态随机存储器(DDR)的资源利用率,并将分块子矩阵地址映射方法和跨页地址映射方法应用于原位转置中,有效地提高了SAR回波数据转置的访问效率。仿真实验结果表明,该数据存储系统在满足成像实时性的同时降低了一半的DDR存储器的用量,提高了DDR的资源利用率,降低了成本,目前已成功应用于多种模式的SAR成像处理中。
合成孔径雷达 双倍数据速率动态随机存储器 4倍数据速率静态随机存储器 矩阵转置 原位转置 Synthetic Aperture Radar Double Data Rate SDRAM Quad Data Rate SRAM matrix transpose matrix in-place transpose 
太赫兹科学与电子信息学报
2021, 19(5): 845
作者单位
摘要
北京空间飞行器总体设计部, 北京 100094
在倒装芯片的单粒子效应防护设计验证中, 重离子在到达器件敏感区前要经过几百微米的衬底材料, 需要计算器件敏感区中离子的线性能量传输(LET)值。采用兰州重离子加速器加速的 55 MeV/μ58Ni离子对基于倒装的 Xilinx公司550万门现场可编程门阵列(FPGA)实现的典型系统的单粒子效应防护设计进行了试验验证, 采用 SRIM、FLUKA和 GEANT等不同方法对试验中的 LET值进行了分析, 同时将 SRIM分析的典型结果与基于磁偏转飞行时间法的试验数据进行了比较, 发现与现有的重离子分析结果有一定差异。因此在防护验证中采用离子 LET作为主要参数的情况下, 应对重离子(尤其是高能段 )的 LET的计算方法进行约定, 以规范试验过程, 增强数据的可比性。
静态随机存储器型现场可编程门阵列 倒装芯片 单粒子效应 重离子 线性能量传输 Stopping Range Ions Matter-based Field Programmabl flip -chip single eventeffect heavy ions Linear Energy Transfer 
太赫兹科学与电子信息学报
2016, 14(6): 985
作者单位
摘要
西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,陕西 西安 710024
为研究互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺静态随机处理内存(SRAM)脉冲中子辐射效应机理,对SRAM 翻转效应进行了蒙特卡罗模拟。该模拟基于脉冲中子辐照下SRAM 翻转是单粒子翻转的叠加的假设,计算了单位翻转和伪多位翻转在总翻转数中的百分比。在西安脉冲反应堆上对3 种特征尺寸商用SRAM 开展了脉冲工况实验研究,得到了单位翻转和伪2 位翻转数据,结合模拟结果分析了SRAM 在脉冲中子作用下的翻转机制。
脉冲中子 单粒子翻转 伪多位翻转 静态随机存储器 pulsed neutron Single Event Upset Pseudo Multiple Bit Upset Static Random Access Memory 
太赫兹科学与电子信息学报
2016, 14(5): 800
作者单位
摘要
1 北京空间机电研究所,北京 100094
2 中国通信卫星事业部,北京 100094
随着航天技术的发展,嵌入式系统设计在航天上得到了越来越广泛的应用。静态随机存储器(SRAM)作为使用最为广泛的存储器之一,由于其高速低功耗的优良特性,在航天领域被广泛使用。目前,其功能测试还依赖于通过使用 VHDL/Verilog编写测试端口来完成,不仅开发效率低,而且很难保证测试结果的可靠性。本文提出了一种通过嵌入式开发的方式完成对静态随机存储器(SRAM)功能测试的方法,测试方法基于可复用的 IP技术,大大提高了测试数据传输效率。通过这种方法, SRAM测试系统的二次开发基于应用层而不是底层逻辑层,大大简化了系统设计。这样不仅提高了测试效率,而且具有较好的可靠性、可配置性以及可移植性,大大降低了系统的研发成本。测试系统的可行性和有效性已经得到了实验验证。
静态随机存储器 现场可编程门阵列 嵌入式 可靠性 高速电路 Static Random Access Memory Field Programmable Gate Array embedded system reliability high -speed circuits 
太赫兹科学与电子信息学报
2015, 13(2): 352
作者单位
摘要
1 武汉大学 电子信息学院, 湖北 武汉 430072
2 武汉大学 微电子研究院, 湖北 武汉 430072
设计了一种能够完成帧-帧背景去除算法的闪电识别系统, 用于实时识别闪电事件并编码。该系统将闪电成像仪拍摄到的高速图像数据分成8个区域, 用8个相同的子系统分别完成各个区域的闪电探测; 在每个子系统中利用7片静态随机存储器(SRAM)以流水读写的方式完成7帧背景评估, 并利用该方法实现7帧数据的帧-帧背景去除算法。实验结果显示, 该系统可以完成2.88 Gbps高速数据流的接收, 背景信号评估和去除, 并且可实时识别闪电事件。这些结果表明该系统能够完成气象卫星闪电识别的任务。
闪电探测 闪电识别 闪电事件 背景存储 静态随机存储器 lightning detection lightning identification lightning event background storage Static Random Access Memories(SRAM) 
光学 精密工程
2012, 20(7): 1587

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