液晶与显示, 2016, 31 (12): 1112, 网络出版: 2016-12-30
排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si均一性的影响
Influence of exhaust mode and process on uniformity of plasma etching a-Si
基本信息
DOI: | 10.3788/yjyxs20163112.1112 |
中图分类号: | TP394.1;TH691.9 |
栏目: | 材料与器件 |
项目基金: | -- |
收稿日期: | 2016-08-15 |
修改稿日期: | 2016-10-18 |
网络出版日期: | 2016-12-30 |
通讯作者: | 张立祥 (xiangehh@sina.cn) |
备注: | -- |
张立祥, 王海涛, 王尤海, 夏庆峰. 排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si均一性的影响[J]. 液晶与显示, 2016, 31(12): 1112. ZhANG Li-xiang, WANG Hai-tao, WANG You-hai, XIA Qing-feng. Influence of exhaust mode and process on uniformity of plasma etching a-Si[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2016, 31(12): 1112.