液晶与显示, 2016, 31 (12): 1112, 网络出版: 2016-12-30  

排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si均一性的影响

Influence of exhaust mode and process on uniformity of plasma etching a-Si
作者单位
中航光电子有限公司, 上海 201100
基本信息
DOI: 10.3788/yjyxs20163112.1112
中图分类号: TP394.1;TH691.9
栏目: 材料与器件
项目基金: --
收稿日期: 2016-08-15
修改稿日期: 2016-10-18
网络出版日期: 2016-12-30
通讯作者: 张立祥 (xiangehh@sina.cn)
备注: --

张立祥, 王海涛, 王尤海, 夏庆峰. 排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si均一性的影响[J]. 液晶与显示, 2016, 31(12): 1112. ZhANG Li-xiang, WANG Hai-tao, WANG You-hai, XIA Qing-feng. Influence of exhaust mode and process on uniformity of plasma etching a-Si[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2016, 31(12): 1112.

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