排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si均一性的影响

张立祥; 王海涛; 王尤海; 夏庆峰

doi:doi:10.3788/yjyxs20163112.1112

液晶与显示, 2016, 31 (12): 1112, 网络出版: 2016-12-30

排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si均一性的影响

Influence of exhaust mode and process on uniformity of plasma etching a-Si

张立祥 ^*王海涛王尤海夏庆峰

作者单位

中航光电子有限公司, 上海 201100

图 & 表

张立祥, 王海涛, 王尤海, 夏庆峰. 排气方式及工艺参数对等离子体刻蚀a-Si均一性的影响[J]. 液晶与显示, 2016, 31(12): 1112. ZhANG Li-xiang, WANG Hai-tao, WANG You-hai, XIA Qing-feng. Influence of exhaust mode and process on uniformity of plasma etching a-Si[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2016, 31(12): 1112.