红外技术, 2015, 37 (2): 105, 网络出版: 2015-03-23   

分子束外延锗基碲镉汞薄膜原位砷掺杂研究

Research on In-situ As-doped HgCdTe Thin Film Growth on Ge-base by MBE
作者单位
昆明物理研究所, 云南 昆明 650223
知识挖掘
相关论文
本文相似领域研究进展,
知识服务
本文主要研究领域论文发表情况:
本文研究领域论文发表情况(统计图):

覃钢, 李东升, 李艳辉, 杨春章, 周旭昌, 张阳, 谭英, 左大凡, 齐航. 分子束外延锗基碲镉汞薄膜原位砷掺杂研究[J]. 红外技术, 2015, 37(2): 105. QIN Gang, LI Dong-sheng, LI Yan-hui, YANG Chun-zhang, ZHOU Xu-chang, ZHANG Yang, TAN Ying, ZUO Da-fan, QI Hang. Research on In-situ As-doped HgCdTe Thin Film Growth on Ge-base by MBE[J]. Infrared Technology, 2015, 37(2): 105.

本文已被 2 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!