发光学报, 2011, 32 (2): 164, 网络出版: 2011-02-21   

InxGa1-xAs/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响

Strain Effect on Temperature Dependent Photoluminescence from InxGa1-xAs/GaAs Quantum Wells
作者单位
南开大学 泰达应用物理学院 弱光非线性教育部重点实验室, 天津 300457
引用该论文

叶志成, 舒永春, 曹雪, 龚亮, 姚江宏, 皮彪, 邢晓东, 许京军. InxGa1-xAs/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响[J]. 发光学报, 2011, 32(2): 164.

YE Zhi-cheng, SHU Yong-chun, CAO Xue, GONG Liang, YAO Jiang-hong, PI Biao, XING Xiao-dong, XU Jing-jun. Strain Effect on Temperature Dependent Photoluminescence from InxGa1-xAs/GaAs Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(2): 164.

叶志成, 舒永春, 曹雪, 龚亮, 姚江宏, 皮彪, 邢晓东, 许京军. InxGa1-xAs/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响[J]. 发光学报, 2011, 32(2): 164. YE Zhi-cheng, SHU Yong-chun, CAO Xue, GONG Liang, YAO Jiang-hong, PI Biao, XING Xiao-dong, XU Jing-jun. Strain Effect on Temperature Dependent Photoluminescence from InxGa1-xAs/GaAs Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(2): 164.

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