发光学报, 2011, 32 (2): 164, 网络出版: 2011-02-21
InxGa1-xAs/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响
Strain Effect on Temperature Dependent Photoluminescence from InxGa1-xAs/GaAs Quantum Wells
分子束外延 应变量子阱 变温光致发光 MBE InGaAs/GaAs InGaAs/GaAs strained quantum wells variable-temperature photoluminescence
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