发光学报, 2011, 32 (2): 164, 网络出版: 2011-02-21
InxGa1-xAs/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响
Strain Effect on Temperature Dependent Photoluminescence from InxGa1-xAs/GaAs Quantum Wells
基本信息
DOI: | -- |
中图分类号: | O472.3 |
栏目: | 器件制备及器件物理 |
项目基金: | 天津应用基础研究基金(06YFJZJC01100, 08JCYBJC14800); 国家“863”计划(2006AA03Z413)资助项目 |
收稿日期: | 2010-06-30 |
修改稿日期: | 2010-10-19 |
网络出版日期: | 2011-02-21 |
通讯作者: | 叶志成 (yezhicheng2004@yahoo.com.cn) |
备注: | -- |
叶志成, 舒永春, 曹雪, 龚亮, 姚江宏, 皮彪, 邢晓东, 许京军. InxGa1-xAs/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响[J]. 发光学报, 2011, 32(2): 164. YE Zhi-cheng, SHU Yong-chun, CAO Xue, GONG Liang, YAO Jiang-hong, PI Biao, XING Xiao-dong, XU Jing-jun. Strain Effect on Temperature Dependent Photoluminescence from InxGa1-xAs/GaAs Quantum Wells[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2011, 32(2): 164.