红外与毫米波学报, 2015, 34 (2): 218, 网络出版: 2015-05-20   

1053 nm高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性

Preparation and photoelectric characteristics of high speed superluminescent diode emitting at 1053 nm
作者单位
1 重庆大学 机械传动国家重点实验室, 重庆 400044
2 重庆大学 应用物理系, 重庆 401331
3 重庆光电技术研究所, 重庆 400060
4 重庆电子工程职业学院 软件学院, 重庆 401331
基本信息
DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.02.016
中图分类号: TN248.4;TN365
栏目:
项目基金: 国家自然科学基金(11304405)、 重庆大学机械传动国家重点实验室开放课题(SKLMT-KFKT-201419)、 重庆市科技攻关计划(CSTC 2012gg-gjhz50001, CSTC2013jj B0023)、 重庆市教育委员会科技项目(KJ132209)、 重庆大学大型仪器设备开放基金(201412150103, 201412150104,201412150105)
收稿日期: 2014-01-22
修改稿日期: 2015-02-05
网络出版日期: 2015-05-20
通讯作者: 段利华 (dlh259@163.com)
备注: --

段利华, 张淑芳, 周勇, 张靖, 郭洪, 罗庆春, 方亮. 1053 nm高速超辐射发光二极管的研制及其光电特性[J]. 红外与毫米波学报, 2015, 34(2): 218. DUAN Li-Hua, ZHANG Shu-Fang, ZHOU Yong, ZHANG Jing, GUO Hong, LUO Qing-Chun, FANG Liang. Preparation and photoelectric characteristics of high speed superluminescent diode emitting at 1053 nm[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2015, 34(2): 218.

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