制备了一种新型的具有高调制带宽的1053nm超辐射发光二极管(SLD).利用光荧光(PL)测试分析了不同温度、不同生长速率对SLD芯片外延材料质量的影响, 优化了InGaAs/GaAs量子阱的生长温度与生长速率.分析了SLD模块的光电特性随温度与注入电流的变化关系.研究结果表明, SLD输出波长随温度的漂移系数为0.35nm/℃, 其输出波长随注入电流的漂移对温度并不敏感.在25℃、100mA注入电流下SLD的-3dB调制带宽达到1.7GHz, 尾纤输出功率2.5mW, 相应的光谱半宽为24nm, 光谱波纹为0.15dB.

研究了TRPO-D3520萃淋树脂从碱性氰化液中固相萃取Au(CN)-2的性能， 并借助傅里叶变换红外光谱(FTIR)、 X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)等方法对固相萃取Au(Ⅰ)的机理进行了讨论。 结果表明： 阳离子表面活性剂CTMAB在固相萃取中起到了关键的作用，　当待萃水相中加入的CTMAB与Au(CN)-2的摩尔比达到1∶1时， TRPO-D3520萃淋树脂即对金具有良好的萃取性能； 萃淋树脂负载金后， FTIR分析表明Au(CN)-2中的C≡N伸缩振动吸收峰位于2　144 cm-1， TRPO中的PO伸缩振动峰由1　153　cm-1向低频移至1　150　cm-1； N(1s)， Au(4f7/2)和Au(4f5/2)XPS谱揭示了树脂中金的价态和配位环境未发生变化， 仍以Au(CN)-2形态存在于萃淋树脂中； O(1s) XPS谱图表明， 经固相萃取后， 树脂中化学结合水的含量明显增加， 化学结合水的峰面积由30.74%增加至42.34%； 固相萃取后， P(2p)XPS谱图峰位由132.15　eV增加至132.45　eV， 说明PO基团与水分子存在一定的氢键作用， 生成P=O…H—O—H。 综上可推测， TRPO-D3520树脂固相萃取Au(CN)-2的过程为： ［CTMA+·Au(CN)-2］离子对扩散至树脂孔内， 被孔内的TRPO借助水分子为桥的氢键作用溶剂化而固相萃取。

设计了一种用于与激光二极管芯片进行集成的基于MOSFE场效应管的大电流脉冲驱动电路方案, 计算了限流电阻对驱动电路中储能电容性能的影响, 分析了MOSFET场效应管峰值驱动电流与开通时间的估算公式, 通过仿真软件研究了激光器的寄生电感对驱动电路波形的影响; 理论和仿真结果表明, 通过驱动电路与激光器芯片的一体化集成, 提高了脉冲激光器性能, 设计并制作了尺寸为14mm的微型化驱动电路; 经测试, 27V直流电压源驱动下, 驱动信号上升时间小于15ns, 脉宽25~150ns, 最大占空比0.5%, 输出幅值大于22V。

研制了一种微型6针卧式结构的850nm超辐射发光二极管(SLD)模块, 该模块采用激光焊接方式实现全金属化耦合封装, 通过对模块结构的优化设计, 使模块体积缩小为标准8针蝶形封装体积的一半。该模块在100mA工作电流下, 尾纤输出功率大于1.5mW, 光谱宽度大于20nm, 纹波系数小于0.5dB, 同时选用高效率微型半导体制冷器(TEC), 使其正常工作温度范围和储存温度范围分别达到-50～75℃和-60～100℃。

大功率半导体激光器模块对耦合封装工艺要求较高，耦合封装工艺直接影响模块的可靠性。采用金属化楔形微透镜光纤与大功率半导体激光器对准耦合，耦合效率达到87%；采用激光焊接定位的方式对大功率半导体激光器与楔形微透镜光纤进行耦合固定，实现了大功率半导体激光器模块的全金属化封装。通过环境考核试验证明，模块储存温度达到-60～120℃，能够满足许多特殊环境对半导体激光器模块的要求。

利用振荡聚焦光束和自动送粉技术,获得单道宽12mm以上、组织致密无缺陷的镍基合金激光熔覆层,并对其硬度分布、组织及成分进行了分析和测试.